开关电源
开关电源高频化是其发展的方向，高频化使开关电源小型化，并使开关电源进入更广泛的应用领域，特别是在高新技术领域的应用，推动了高新技术产品的小型化、轻便化。另外开关电源的发展与应用在节约能源、节约资源及保护环境方面都具有重要的意义。
开关电源中应用的电力电子器件主要为二极管、IGBT和MOSFET。 SCR在开关电源输入整流电路及软启动电路中有少量应用，GTR
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开关电源
开关电源高频化是其发展的方向，高频化使开关电源小型化，并使开关电源进入更广泛的应用领域，特别是在高新技术领域的应用，推动了高新技术产品的小型化、轻便化。另外开关电源的发展与应用在节约能源、节约资源及保护环境方面都具有重要的意义。
开关电源中应用的电力电子器件主要为二极管、IGBT和MOSFET。 SCR在开关电源输入整流电路及软启动电路中有少量应用，GTR驱动困难，开关频率低，逐渐被IGBT和MOSFET取代。
什么样的变压器才算是适用的？变压器决定了什么，影响了什么？
设计变压器是各种拓扑的点之一，变压器设计的好坏，影响电源的方方面面，有的无法工作，有的效率不高，有的EMC难做，有的温升高，有的极限情况会饱和，有的安规过不了，需要综合各方面的因素来设计变压器。
设计变压器从哪里入手呢？一般来说根据功率来选择磁芯大小，有经验的可参考自己设计过的，没经验的只能按照AP算法去算，当然还要留有一定的余量，实验去检验设计的好坏。
一般小功率反激推荐的用的比较多EE型，EF型，EI型，ER型，中大功率PQ的用的比较多，这里面也有每个人的习惯以及不同公司的平台差异，功率很大的，没有适合的磁芯，可以二个变压器原边串副边并的方式来做。
不同拓扑对变压器的要求也不一样，比如反激，需要考虑的是需要工作在什么模式下，感量如何调节适中。尤其是多路输出一定要注意负载调整率满足需求，耦合的效果要好，比如采用并绕，均匀绕制，以及副边匝数尽可能增多。MOS管耐压决定匝比，怎么选取合适的占空比，选取多大的Bmax(一般小于0.35，当然0.3更好，即时短路也不会饱和太严重)有的还需要增加屏蔽来整改EMC，原副边屏蔽一般加2层，外屏蔽1层就好。
大功率变压器一般更多的是关注损耗，需要铜损和磁损达到平衡，还要考虑到风冷自然冷，电流密度多大合适，功率稍大(大于150W)的一般电流密度相对取小些(3.5-4.5)，功率小的(5.0-7.0)。
还要清楚电源过的什么安规，挡墙是不是足够，层间胶带是否设置合理也是不可以忽视的，一旦要做认证去改变压器也是影响进度的。
电源损耗是怎么分布的？MOS管损耗？变压器损耗？变压器除了直流损耗，还有交流损耗怎么算的？
电源损耗一般集中在以下一些方面：
1、MOS管的开通损耗及导通损耗；
2、变压器的铜损和铁损；
3、副边整流管的损耗；
4、桥式整流的损耗；
5、采样电阻损耗；
6、吸收电路的损耗；
7、其它损耗：PFC电感损耗，LLC的谐振电感损耗，同步整流的MOS管损耗。等等……
针对这些损耗，适当的减小可以提升效率。
1、针对MOS管可选用开关速度快的，导通电阻低的，电路上课采用软开关。
2、针对变压器：选择合适大小的磁芯，磁芯太小损耗会大，很难做到铜损和铁损平衡。尤其是铜损不仅有直流损耗还有交流损耗，交流损耗一般比直流损耗还大2倍，因为铜线在高频下的交流阻抗比直流阻 抗大的多，计算时一定要充分估算进去。
移相全桥的驱动是什么实现的？何为移相？移相带来什么？
移相全桥目前在中大功率使用中，也是用的很火，受欢迎程度仅次于LLC谐振半桥。之前已经比较过不同拓扑的使用情况，这里就专门介绍下移相全桥的特点。
移相全桥特点一：驱动比较复杂，导致控制电路复杂，成本很高，原因是移相全桥一般有4个MOS，对驱动能力要求很高，一般IC很难做到，需要对驱动能力通过外置MOS管放大使用，又为了加强可靠性一般采用隔离变压器来驱动MOS管。
移 相全桥特点二：移相，为什么要移相，移相带来什么，跟普通全桥有什么区别。移相针对的是同一组的MOS管，让2个MOS管依次导通，可以降低开关损耗。超 前臂桥实现ZVS同时，副边处于续流，原边电流被二极管分担，MOS管电流也很小，近似零电流导通，滞后臂桥可以零电压导通。
移相全桥特点三：工作过程复杂，二个输出功率状态(靠原边提供能量)，二个续流状态(靠副边电感及电容提供供能量)，四个死区(来分别实现每个MOS管软开通I)
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