退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中，例如氧化，或者可以自己处理。退火炉是由专
自动化固化炉
退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中，例如氧化，或者可以自己处理。退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的。退火炉是节能型周期式作业炉，超节能结构，采用纤维结构，节电60%。
当温度做到设定值时，温控仪输出PID控制信号PLC，PLC输出控制信号给时间继电器KT，使其刚开始保温记时，另外，封闭式进风机和排风系统碟阀。根据PID控制电加热持续开闭，箱体处在暖风循环保温杀菌环节。当保温杀菌时间做到设定值时，时间继电器输出信号给PLC，PLC输出全封电加热，打开水冷却继电器，使其吸合通断，进而箱体处在制冷减温环节。当箱里温度降低≤40℃时，温控仪输出控制信号给PLC，PLC输出封闭式暖风循环风机，干躁杀菌周期程序完毕。
隧道炉烘箱的主要性能及参数
主要性能参数：工作室尺寸：高1500*宽1200*深1000mm外部尺寸：约高2220*宽1750*深1290mm电源：380V50Hz加热功率：18Kw工作温度：常温+10-250℃，任意温度可设温度均匀度：正、负2.0%风道：双风道，水平循环运风外壳材质：冷扎钢板，表面涂浅灰色漆，内胆和风道系统材质：201钢板，镀锌板，304不锈钢板)可选加热器管：不锈钢管式电加热器加热器：顶部加热隔热材料：100mm保温材料：100mm厚玻璃岩棉鼓风机：功率750W*2温度控制：PID温控仪，LED数字显示，按键设置，自动恒温元件：Pt100热电阻恒温定时：0.01-99.99小时，断电时间：过负荷保护，电机热过负荷，缺相保护附件：选配温控元件；
在机电、化工、塑料、轻工等行业和科研单位中，常采用隧道式烘箱烘烤各种产品、试样，并将其烘干、固化、热处理及其他加热处理。
高温炉特点：
隧道式烘箱适用于测定煤中水分、烘干物品、干燥和热处理的温度和时间等。隧道式烘箱采用数显温度调节器控制温度，控温灵敏，操作简单，，数字直接显示温度，直观易懂。隧道式烘箱工作室温度可在室温至300℃之间任意恒温，可自动切断电源，保护设备及试验品。
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