便携式IGBT测试仪加工发货「多图」

（2）主要技术参数 1）基本参数 功率源： 5000V 1200A 2）栅极-发射极漏电流IGES IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA 集电极电压VCE： 0V 栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V 3）集电极-发射极电压 集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V 集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 栅极电压Vge： 0V 4）集电极-发射极饱和电压VCESat VCESat：0.2-5V 栅极电压Vge： ±15V±2%±0.2V 集电极电流ICE： 10-1200A±2%±1A 5）集电极-发射极截止电流ICES 集电极电压VCE： 100-5000V±3% 集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 栅极电压VGE： 0V 6）栅极-发射极阈值电压 VGEth： 1-10V±2%±0.1V Vce： 12V 集电极电流ICE： 30mA±3% 7）二极管压降测试 VF： 0-5V±2%±0.01V IF： 0-1200A±2%±1A Vge： 0V

IGBT动态参数测试系统技术要求

1、设备概述

该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。

2、需提供设备操作手册、维修手册、零部件清单、基础图、设备总图、部件装配图、电气原理图、全机润滑系统图、电气接线用、计算机控制程序软件及其他必要的技术文件，设备有通讯模块必须提供通讯协议及其他必要的技术文件，所有资料必须准备（正本、副本）各一份，电子版一份；同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比。（正本、副本）技术资料，应至少有一份采用中文，另一份技术资料可以是英文或中文。

9）尖峰抑制电容 用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。 电容容量 200μF 分布电感 小于10nH 脉冲电流 2kA 工作温度 室温～40℃ 工作湿度 <70% 11）动态测试续流二极管 用于防止测试过程中的过电压。 反向电压 8000V(2只串联) -di/dt大于2000A/μs 通态电流 1200A 压降小于1V 浪涌电流大于20kA 反向恢复时间小于2μs 工作温度 室温～40℃ 工作湿度 <70% 12）安全工作区测试续流二极管 电流 通过选择不同档位电感，满足0~200A电流输出需求（10ms）。反向电压 12kV(3只串联) -di/dt 大于2000A/μS 通态电流 1200A 压降 小于1V 浪涌电流 大于20kA 反向恢复时间 小于2μS 工作温度 室温～40℃ 工作湿度 <70%

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