微弧氧化膜层生长时，首先在基体表面发生化学反应，生成一层阳极氧化膜。当增大反应电压时，膜层厚度会进一步增加，厚度会随之增加。但是当反应电压增加到一定程度时，膜层会由于不能承受该工作电压发生放电再击穿，产生等离子放电。反应的高温将使膜层发生熔融，基体元素由于处在富氧环境中，将形成氧化物。同时由于是在电解液中，熔融物将瞬间冷凝，在基体表面生成一层陶瓷。陶瓷膜的生成，将导致工作电压进
轻金属微弧氧化公司
微弧氧化膜层生长时，首先在基体表面发生化学反应，生成一层阳极氧化膜。当增大反应电压时，膜层厚度会进一步增加，厚度会随之增加。但是当反应电压增加到一定程度时，膜层会由于不能承受该工作电压发生放电再击穿，产生等离子放电。反应的高温将使膜层发生熔融，基体元素由于处在富氧环境中，将形成氧化物。同时由于是在电解液中，熔融物将瞬间冷凝，在基体表面生成一层陶瓷。陶瓷膜的生成，将导致工作电压进一步升高，膜层再次被击穿，膜层厚度进一步增加。周而复始，膜层得以生长。
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用正交试验法，对影响7075铝合金微弧氧化膜层致密性的电参数进行优化。以膜层厚度和孔隙率作为指标，以正向电压、电流密度、正占空比和脉冲频率作为因素设计,并开展了四因素三水平的正交试验。使用扫描电镜对正交试验后微弧氧化陶瓷膜层的表面形貌进行了观察；利用Image J软件对陶瓷膜层的膜层厚度及孔隙率进行测量。
结果表明：影响微弧氧化陶瓷膜层厚度的电参数顺序从大到小依次为：正向电压〉电流密度〉正占空比〉脉冲频率；
影响微弧氧化膜层孔隙率的电参数顺序从大到小依次为：正向电压〉电流密度〉正占空比〉脉冲频率；
采用综合平衡法确定的电参数的优化结果为：正向电压550V、电流密度8 A/dm^2、正占空比20%、频率400Hz。
微弧氧化材料表面陶瓷化机理
微弧氧化是一种在高电压、大电流下对金属材料进行表面处理的技术。由于采用了较高的电压(大于250 V)，在微弧氧化处理过程中，可在样品材料表面观察到光斑(弧光)现象。光斑十分细小，密度很大，且无固定位置。这种细小的光斑意味着在样品材料表面形成了大量的等离子体微区，在微区内瞬间温度可达2500℃以上，压力可达数百个大气压，为上面提到的一系列化学、物理反应的进行创造了条件。利用这一环境可在材料表面生成具有一定厚度、致密的陶瓷氧化层，可用来改善材料自身的防腐、和电绝缘等特性。
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