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晶体谐振器与晶体振荡器的区别
1，晶体振荡器的厚度总是高于晶体谐振器。因为晶体振荡器内部直接置入起振芯片，无需外部元器件帮助起振，自身可以直接起振。
2，由于晶体振荡器可以依靠自身起振，因此在电子行业归类为主动元器件，而晶体谐振器需要依靠外部电容电阻起振，称之为被动元器件。
3，晶体振荡器种
SML输出晶振加工
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晶体谐振器与晶体振荡器的区别
1，晶体振荡器的厚度总是高于晶体谐振器。因为晶体振荡器内部直接置入起振芯片，无需外部元器件帮助起振，自身可以直接起振。
2，由于晶体振荡器可以依靠自身起振，因此在电子行业归类为主动元器件，而晶体谐振器需要依靠外部电容电阻起振，称之为被动元器件。
3，晶体振荡器种类复杂繁多，可分为以下几种：普通振荡器（SPXO）；温补振荡器（TCXO）；压控振荡器（VCXO），压控温补振荡器（VC-TCXO）；恒温振荡器（OCXO）。而晶体谐振器只有一种，就是自身。
4，晶体振荡器的精度高于晶体谐振器，因此两者论性能稳定度，莫属晶体振荡器出众。晶体振荡器中的温补振荡器较可达到0.5ppm，晶体谐振器较只能做到5ppm，且为DIP封装，SMD封装较仅仅只有10PPM。
5，无疑，晶体振荡器的成本高于晶体谐振器。
其次，晶体与晶振弄混会导致哪些误会。从上文的分析中我们可以得出结论，被动与主动的焊接电路是完全不同的，因晶体振荡器无需外接电容，晶体谐振器需外接电容电阻，如若两者混淆采购，电路将无法正常起振。
差分晶振和压控晶振
1、差分晶振
差分晶体振荡器(DXO)是目前行业中公认高技术，高要求的一款晶体振荡器，是指输出差分信号使用2种相位彼此完全相反的信号,从而消除了共模噪声。差分晶振一般为六脚贴片，输出类型分为好几种,LVDS,LV-PECL，具有低电平,低抖动，低功耗等特性。
2、压控晶振
压控晶体振荡器(VCXO)是一种可通过调整外加电压使晶振输出频率随之改变的晶体振荡器，主要用于锁相环路或频率微调。压控晶振的频率控制范围及线性度主要取决于电路所用变容二极管及晶体参数两者的组合，通常用于锁相环路。
压控晶体振荡器
用外加电压对晶振的频率进行控制，这就是压控晶振，压控晶振广泛用于晶振频率的电校准，锁相晶振，模拟和数字温补晶振，频率调制和频率捷变技术中。压控频偏，压控线性和频率稳定度是压控晶振的3个关键点，对晶振频率进行压控总是以牺牲晶振的频率稳定度为代价的，若非必要，切不可对晶振的压控频偏提出过分要求。
温补晶振介绍
温补晶振输出方式分：削峰正弦波输出（+/-1ppm@-40℃--+85℃），CMOS 方波输出（+/-1ppm@-40℃--+85℃），LVDS 差分方波输出（+/-1ppm@-40℃--+85℃）（0.8p 低抖动）。另外温补晶振 32.768KHz 低功耗可达（0.79μA@1.8V，1.05μA@2.5V，1.25μA@3.0V，1.37μA@3.3V，2.05μA@5V）。
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