测量目的:对模块的电压降参数进行检测, 可判断模块是否处于正常状态。
功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化,饱和压降Vcesat会逐渐劣化。因此,定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成,由于个体差异,大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此,测量大电流情况下的各个模块实际技术参数,进行跟踪管理,可有效保障机车中间直流环节可靠运行。
IGBT模块VCE-IC特
轨道交通用IGBT测试仪价格
测量目的:对模块的电压降参数进行检测, 可判断模块是否处于正常状态。
功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化,饱和压降Vcesat会逐渐劣化。因此,定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成,由于个体差异,大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此,测量大电流情况下的各个模块实际技术参数,进行跟踪管理,可有效保障机车中间直流环节可靠运行。
IGBT模块VCE-IC特线(单管),Vcesat随电流变大而增大。IGBT模块VCE-IC特线(单管),Vcesat随电流变大而增大。

测试的IGBT参数包括:ICES(漏流)、BVCES(耐压)、IGESF(正向门极漏流)、IGESR(反向门极漏流)、VGETH(门槛电压/阈值)、VGEON(通态门极电压)、VCESAT(饱和压降)、ICON(通态集极漏流)、VF(二极管压降)、GFS(跨导)、rCE(导通电阻)等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。优势行业:电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。
半导体元件全自动测试系统,可以元件在真正工作状态下的电流及电压,并测量重要参数的数据,再与原出厂指标比较,由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块,都具有独立的供电系统,以便在测试时,提供内部电路及电池组充电之用;高压探头:满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求。 可选购外部高压模块,执行关闭状态参数测试如:各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。

目的和用途
该设备用于功率半导体模块(IGBT、FRD、肖特基二极管等)的动态参数测试,以表征器件的动态特性,通过测试夹具的连接,实现模块的动态参数测试。在调试期间发现元件有缺陷或受到损坏,应由卖方负责免费更换并予以赔偿。
1.2 测试对象
IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块
2.测试参数及指标
2.1开关时间测试单元技术条件
开通时间测试参数:
1、开通时间ton:5~2000ns±3%±3ns
2、开通延迟时间td(on):5~2000ns±3%±3ns
3、上升时间tr:5~2000ns±3%±3ns
4、开通能量: 0.2~1mJ±5%±0.01mJ
1~50mJ±5%±0.1mJ
50~100mJ±5%±1mJ
100~500mJ±5%±2mJ
5、开通电流上升率di/dt测量范围:200-10000A/uS
6、开通峰值功率Pon:10W~250kW

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