镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响
靶基距：靶基距是影响成膜速率的重要因素之一，随着靶基距增加，被溅射材料射向基片时与气体分子碰撞的次数增多，同时等离子体密度也减弱，动能减少，沉积速率降低，但膜层外观较好。靶基距太小，沉积太快，工件温升大，膜层外观差。
靶功率；磁控溅射本身粒子初始动能比较小，离化率低，电源功率越大，溅射出的粒子的初始能量越大，靶材溅射量
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镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响
靶基距：靶基距是影响成膜速率的重要因素之一，随着靶基距增加，被溅射材料射向基片时与气体分子碰撞的次数增多，同时等离子体密度也减弱，动能减少，沉积速率降低，但膜层外观较好。靶基距太小，沉积太快，工件温升大，膜层外观差。
靶功率；磁控溅射本身粒子初始动能比较小，离化率低，电源功率越大，溅射出的粒子的初始能量越大，靶材溅射量也越大，沉积速率越快，膜层容易上厚度和硬度，同时工件温升也大，过高的功率会使沉积速率太快，粒子来不及表面迁移和扩散，易形成阴影效应，膜层会比较疏松，应力较大。镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响：本底真空度:本底真空度越高炉内杂气量(包括水气)越少,这保证镀膜时反应气体的纯度,从而保证膜层颜色的纯正和光泽鲜亮。
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利用电阻加热器加热蒸发的优点：镀膜机构造简单，造价便宜、使用可靠，可用于熔点不太高的材料的蒸发镀膜，尤其适用于对膜层质量要求不太高的大批量的生产中。电阻加热方式的缺点是：加热所能达到的z高温度有限，加热器的寿命也较短。低能电子沿着磁力线来回振荡，待电子能量将耗尽时，在电场的作用下终沉积在基片上。近年来，为了提高加热器的寿命，国内外已采用寿命较长的氮化硼合成的导电陶瓷材料作为加热器。
电子束蒸发源的优点为：①电子束轰击热源的束流密度高，能获得远比电阻加热源更大的能量密度。可以使高熔点（可高达3000°C以上）材料蒸发，并且能有较高的蒸发速度；②由于被蒸发材料是置于水冷堆锅内，因而可避免容器材料的蒸发，以及容器材料与蒸镀材料之间的反应，这对提高镀膜的纯度极为重要；③热量可直接加到蒸镀材料的表面，因而热，热传导和热辐射的损失少。它是离子溅射镀膜的基础，即离子溅射镀膜中的入射离子一般利用气体放电法得到。
镀膜原理
阴极真空磁控溅射的特点：膜层厚度均匀、镀膜速度快、基板温度低。溅射镀膜利用2个原理：辉光放电、连续撞击。镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响：弧靶电流：弧靶电流越大，靶材蒸发量越大，靶面温度越高，冷却越差，弧靶产生的液滴大颗粒越多，膜层外观越差，膜层中的缺陷越多。溅射过程是建立在气体放电基础上的，放电从低压下开始的，气体离子与靶材相互作用，离子不断的撞击靶表面，靶材从靶表面被轰击下来然后在靶附近的基片（玻璃）上沉积下来，凝结成一层薄膜。
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