光刻胶国际化发展
人士认为，按照现在“单打独斗”的研发路径，肯定不行。虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率，但是薄负性胶会影响孔。相关部门要加大产业政策的配套支持力度，应从加快完善整个产业链出发，定向梳理国内缺失的、产业依赖度高的关键核心电子化学品，要针对电子化学品开发难度高，检测设备要求高的特点，组织汇聚一些优势企业和，形成一个产业联盟，建立一个生产应
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光刻胶国际化发展
人士认为，按照现在“单打独斗”的研发路径，肯定不行。虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率，但是薄负性胶会影响孔。相关部门要加大产业政策的配套支持力度，应从加快完善整个产业链出发，定向梳理国内缺失的、产业依赖度高的关键核心电子化学品，要针对电子化学品开发难度高，检测设备要求高的特点，组织汇聚一些优势企业和，形成一个产业联盟，建立一个生产应用平台，集中力量突破一些关键技术。
江苏博砚电子科技有限公司董事长宗健表示，光刻胶要真正实现国产化，难度很大。光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占整个芯片工艺的40%~60%，是半导体制造中核心的工艺。问题是国内缺乏生产光刻胶所需的原材料，致使现开发的产品碳分散工艺不成熟、碳浆材料不配套。而作为生产光刻胶重要的色浆，至今依赖日本。前道工艺出了问题，保证不了科研与生产，光刻胶国产化就无期。因此，必须通过科研单位、生产企业的协同，尽快取得突破。
有提出，尽管国产光刻胶在面板一时用不起来，但还是要从政策上鼓励国内普通面板的生产企业尽快用起来。正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显影后图形有涨缩，负性胶限制在2~3μm。只有在应用过程中才能发现问题，解决问题，不断提升技术、工艺与产品水平，实现我国关键电子化学品材料的国产化，完善我国集成电路的产业链，满足和重点产业的需求。
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5,显影液
在已经曝光的硅衬底胶面喷淋显影液，或将其浸泡在显影液中，正胶是曝光区、而负胶是非曝光区的胶膜溶入显影液，胶膜中的潜影显现出来，形成三维图像。
显影完成后通常进行工艺线的显影检验，通常是在显微镜下观察显影效果，显影是否、光刻胶图形是否完好。
影响显影的效果主要因素：
1，曝光时间，2前烘温度和时间，3
