1.1 设备数量 1套
* 1.2 设备功能 测试功率半导体器件静态参数
* 1.3 设备组成 设备包含硬件模块和软件模块两大部分
* 1.4 硬件模块 设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆，测试夹具、控制电脑等
* 1.5 软件模块 设备软件部分应包括：
1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能；
2. 图形化操作界面；中/英文操作系统
3.输出EXCEL、wor测
封装用IGBT测试仪加工
1.1 设备数量 1套
* 1.2 设备功能 测试功率半导体器件静态参数
* 1.3 设备组成 设备包含硬件模块和软件模块两大部分
* 1.4 硬件模块 设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆，测试夹具、控制电脑等
* 1.5 软件模块 设备软件部分应包括：
1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能；
2. 图形化操作界面；中/英文操作系统
3.输出EXCEL、wor测试报告
*4.切换大小功率测试模块，达到相应测试精度
*5.可生成器件的I-V特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格；
*6.同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比；若元件的工作条件超过其参数数据，元件可能会立刻烧毁或造成性的损坏。
2、设备尺寸
2.1 设备总体长度 ≤ 700 mm
2.2 设备总体宽度 ≤600mm
2.3 设备总体高度 ≤500mm
大功率半导体器件为何有老化的问题？
任何产品都有设计使用寿命，同一种产品不同的使用环境和是否得到相应的维护，延长产品使用寿命和设备良好运行具有极为重要。功率元件由于经常有大电流往复的冲击，对半导体结构均具有一定的耗损性及破坏性，若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘，更会加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一样是不可避免的问题。工作湿度 13）被测器件旁路开关被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。
主要参数 测试范围 精度要求 测试条件
Vce
集射极电压 150～3300V 150～500V±3%±1V；
500～1000V±2%±2V；
1000～3300V±1%±5V； 150～3300V
Ic
集射极电流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A
Vge
栅极电压 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；
0～+30V±1%±0.1V -30V～30V
Qg
栅极电荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC
td(on)、td(off)
开通/关断延迟 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns
tr、tf
上升/下降时间 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；
Eon、Eoff
开通/关断能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；
50～200mJ±2%±1mJ；
200～1000mJ±2%±2mJ；
1000～5000mJ±1%±5mJ；
关断时间测试参数：
1、关断时间toff：5～2000ns±3%±3ns
2、关断延迟时间td(off)：5～2000ns±3%±3ns
3、下降时间tf：5～2000ns±3%±3ns
4、关断能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ
1～50mJ±5%±0.1mJ
50～100mJ±5%±1mJ
100～500mJ±5%±2mJ
5、关断耗散功率Pon：10W～250kW
关断时间测试条件：
1、集电极电压Vce：50～100V±3%±1V
100～500V±3%±5V
500V～1000V±3%±10V
2、集电极电流Ic：50～100A±3%±1A;
100～500A±3%±2A;
500～1000A±3%±5A;
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