单体3，4-乙撑二氧噻吩(EDOT)的合成情况
合成法产率低，成本高。改进或找到一种新的合成方法以提高EDOT的产率、降低生产成本是当前科研工作者的主要任务。笔者在合成EDOT的过程中对该方法进行了一些改进，如引入相转移催化剂和沸石分子筛，提高了EDOT的产率。
制备单体EDOT的方法为传统意义上的”五步合成法”，也是多年来报道过的唯y方法。该法从工业角度考虑有几大缺
PEDOT/PSS报价
单体3，4-乙撑二氧噻吩(EDOT)的合成情况
合成法产率低，成本高。改进或找到一种新的合成方法以提高EDOT的产率、降低生产成本是当前科研工作者的主要任务。笔者在合成EDOT的过程中对该方法进行了一些改进，如引入相转移催化剂和沸石分子筛，提高了EDOT的产率。
制备单体EDOT的方法为传统意义上的”五步合成法”，也是多年来报道过的唯y方法。该法从工业角度考虑有几大缺点，比如需要强碱、高温，存在致a物质(1、2一二xyw)等。2004年4月瑞典科学家Fredrik von Kieseritzky等提出一种x且有效制备EDOT的方法。与强氧化性和强溶解性的H2SO4和HNO3处理不同，无强氧化性和无强溶解性的甲磺酸不会氧化破坏塑料衬底的柔性，从而保护了塑料衬底。
该法通过2，3-二甲y基-1，3-丁二烯在正己烷溶剂中、于5~C的条件下与SC1：反应制成3，4-二甲y基s吩，然后用对甲bh酸作催化剂与乙二醇反应制得EDOT。该法原料价廉易得、合成简单、条件温和、产率高(60％)，非常适合于工业化生产。这一关键技术的突破将极大促进f吩类导电聚合物的发展。另外，PEDOT:PSS水分散体酸性强（pH=1），对金属有腐蚀破坏作用，会降低电极和器件的性能。
PEDOT:PSS(155090-83-8)的制备及应用
聚3,4-乙撑二氧sf（PEDOT）是一种杂环类导电聚合物，一经面世就迅速成为功能材料领域的研究热点。然而，本征态的PEDOT难溶，在很大程度上限制了其应用。经过PSS掺杂的PEDOT可以很好地分散在水溶液中，进而形成具有导电率高、透光性好、耐热、绿色环保等优点的薄膜。本文将对PEDOT:PSS的制备方法和应用领域进行综述。电容器阴极材料采用PEDOT/PSS薄膜，一方面可以大幅度降低电容器的等效串联电ESR，改进容量-频率、阻抗-频率特性。
导电聚合物的导电机理
聚合物分子导电应具备的必要条件是：分子链应该是一个大竹共轭体系(共轭双键或共轭与带有未成键P轨道的杂原子N、s等偶合)与金属导电需要自由电子和供电子运动的轨道一样，聚合物的导电也需要有电荷载体和可供电荷载体自由运动的分子轨道，由于大多数聚合物本身不具有电荷载体，导电聚合物的所必需的电荷载体是由”掺杂”过程提供的。关于掺杂后导电聚合物的导电机理，目前比较成熟的观点可用下图(二)加以简要说明。调控导电高分子对阴离子的分子结构来调控对阴离子的位阻，实现了薄膜自抑制法聚合（SIP）新工艺，获得了可应用的PEDOT厚膜材料，使得便捷制备微米级高电导率（>。
原位聚合法不需要特殊设备、操作简单、膜厚可控、可涂布于各种形状的表面，尤其对找不到合适溶液的导电聚合物和某些特殊表面具有优势，且聚合方式种类多样，合成PEDOT薄膜的全过程中可通过掺杂改变聚合物结构，获得的聚合物电导率高、应用前景广阔，是制备PEDOT薄膜对电极新的趋势。 与以往传统的和碳对电极相比，PEDOT具有高电导率、透明性以及柔性等优点。三种薄膜制备方法各有优缺点，促进了PEDOT薄膜对电极的发展，也使得DSSC取得了巨大的进步。在前期的工作中，我们报道了高温甲磺酸方法和转移PEDOT:PSS方法，基于P3HT:PCBM和PBDTT-S-TT:PC71BM柔性OSC分别表现了3。
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