现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。01～50mA集电极电压VCES：
50～500V±2%±1V。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持
封装用IGBT测试仪加工
现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。01～50mA集电极电压VCES：
50～500V±2%±1V。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。
大功率半导体器件为何有老化的问题？
任何产品都有设计使用寿命，同一种产品不同的使用环境和是否得到相应的维护，延长产品使用寿命和设备良好运行具有极为重要。测试参数多且完整、应用领域更广泛，但只要使用其基本的2项功能：「开启」电流压降，「关闭」电流的漏电流，就可知道大功半导体有没有老化的现象。功率元件由于经常有大电流往复的冲击，对半导体结构均具有一定的耗损性及破坏性，若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘，更会加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一样是不可避免的问题。
如何执行导通参数与漏电流的量测？
测试条件中待输入的数字，必须依照元件生产厂所提供的规格来输入，而测量结果，亦必须在其所规定的限额内，否则，便为不良品。
大功率I g b t模块测试系统简介
我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力：
☆可单机独立操作，测试范围达2000V及50A。
☆外接大电流扩展装置，检测范围可扩展1600A。
9）尖峰抑制电容
用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。
电容容量 200μF
现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性。分布电感 小于10nH
脉冲电流 2kA
工作温度 室温～40℃
工作湿度 <70%
11）动态测试续流二极管
用于防止测试过程中的过电压。
反向电压 8000V(2只串联)
-di/dt大于2000A/μs
通态电流 1200A
压降小于1V
浪涌电流大于20kA
反向恢复时间小于2μs
工作温度 室温～40℃
工作湿度 <70%
12）安全工作区测试续流二极管
反向电压 12kV(3只串联)
-di/dt 大于2000A/μS
通态电流 1200A
压降 小于1V
浪涌电流 大于20kA
反向恢复时间 小于2μS
工作温度 室温～40℃
工作湿度 <70%
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