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大功率IGBT测试仪加工满意的选择「多图」

半导体元件除了本身功能要良好之外,其各项参数能否达到电路上的要求,必须定期测量,否则产品的质量特性很难保证,尤其是较大的功率元件,因具有耗损性,易老化及效率降低,因不平衡导致烧毁,甚至在使用中会发生。华科智源IGBT电参数测试仪,可用于多种封装形式的IGBT的测试,还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试,广泛应用于轨道交通,电动汽车,风力发电,
大功率IGBT测试仪加工

半导体元件除了本身功能要良好之外,其各项参数能否达到电路上的要求,必须定期测量,否则产品的质量特性很难保证,尤其是较大的功率元件,因具有耗损性,易老化及效率降低,因不平衡导致烧毁,甚至在使用中会发生。华科智源IGBT电参数测试仪,可用于多种封装形式的IGBT的测试,还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试,广泛应用于轨道交通,电动汽车,风力发电,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。 半导体元件的每一个参数,依其极性的不同,都须要一个的测量电路,我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统,具有一组继电器形成的矩阵电路,依每个参数的定义,形成千变万化的电路,再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后,在极短的时间内将所须要的数据量测出来,且有些参数从量测的数据经运算即可得知其特性是否在规定范围内。



航空、电子信息等领域——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件,尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析,以确保出厂产品的稳定性、可靠性;

机车、汽车、船舶控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件,尤其对

现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析,以确保出厂产品的稳定性、可靠性;

水力、电力控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件,尤其对现代新

型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析,

以确保出厂产品的稳定性、可靠性。

优势行业:电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。



5、感性负载

5.1 有效电感 L 100 200 500 1000 μH;

5.2 电流 Ic 1000 1000 1000 500 A;

外部电感成阵列的内部连接。(外部电感的H值传给PC,以计算电流源的极限,限制脉宽到1000us)。

6、标准的双控制极驱动

6.1 门极电阻可人工预先设定如:2.5Ω,5Ω,10Ω等;

6.2 开启(Trun-ON)输出电压 Vge+ : +15V;

6.3 关断(Trun-ON)输出电压 Vge- : -15V;

6.4 脉宽: 10 ~ 1000us (单脉冲、双脉冲总时间);

6.5 电压开关时间: < 50ns;

6.6 输出内阻: < 0.5Ω;



目的和用途 该设备用于功率半导体模块(IGBT、FRD、肖特基二极管等)的动态参数测试,以表征器件的动态特性,通过测试夹具的连接,实现模块的动态参数测试。01mA 栅极电压Vge: 0V 4)集电极-发射极饱和电压VCESat VCESat:0。 1.2 测试对象 IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块 2.测试参数及指标 2.1开关时间测试单元技术条件 开通时间测试参数: 1、开通时间ton:5~2000ns±3%±3ns 2、开通延迟时间td(on):5~2000ns±3%±3ns 3、上升时间tr:5~2000ns±3%±3ns 4、开通能量: 0.2~1mJ±5%±0.01mJ 1~50mJ±5%±0.1mJ 50~100mJ±5%±1mJ 100~500mJ±5%±2mJ 5、开通电流上升率di/dt测量范围:200-10000A/uS 6、开通峰值功率Pon:10W~250kW





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