（2）主要技术参数
1）基本参数
功率源： 5000V 1200A
2）栅极-发射极漏电流IGES
IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA
集电极电压VCE： 0V
栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V
3）集电极-发射极电压
集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压Vg
便携式IGBT测试仪批发
（2）主要技术参数
1）基本参数
功率源： 5000V 1200A
2）栅极-发射极漏电流IGES
IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA
集电极电压VCE： 0V
栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V
3）集电极-发射极电压
集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压Vge： 0V
4）集电极-发射极饱和电压VCESat
VCESat：0.2-5V
栅极电压Vge： ±15V±2%±0.2V
集电极电流ICE： 10-1200A±2%±1A
5）集电极-发射极截止电流ICES
集电极电压VCE： 100-5000V±3%
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压VGE： 0V
6）栅极-发射极阈值电压
VGEth： 1-10V±2%±0.1V
Vce： 12V
集电极电流ICE： 30mA±3%
7）二极管压降测试
VF： 0-5V±2%±0.01V
IF： 0-1200A±2%±1A
Vge： 0V
如何检测元件有老化的现象？
半导体元件有许多参数都很重要，有些参数如：放大倍率，触发参数，闩扣，保持参数，崩溃电压等，是提供给工程师在设计电路时的依据，在检测元件是否有老化的现象时，仅须测量导通参数及漏电流二项即可。将量测的数据与其出厂规格相比较，就可判定元件的好坏或退化的百分比。
何谓半导体元件的参数？对元件使用上有何重要性？
中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的，因其必须承受规格上的电压与电流，在某条件下，承受度的数据便称为此元件的参数。4)湿度：20%RH至90%RH(无凝露，湿球温度计温度:40℃以下)。若元件的工作条件超过其参数数据，元件可能会立刻烧毁或造成性的损坏。
IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求
1）阈值电压测试电路
阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路）
满足表格9测试参数要求
低压开关电源要求：Vcc=12V (针对上图电路)
可调电源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V
集电极电流测试电路精度：10～50mA±1%±0.5mA；
50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA；
2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路
集射极截止电压/发射极截止电流测试电路
高压充电电源：10~2kV连续可调
支撑电容：额定电压2kV
集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；C：脉冲宽度50uS~300uS
D：Vce测量精度2mV
E：Vce测量范围>。10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA
集电极电压VCES：200～1500V±2%±1V
4验收和测试
1)验收由双方共同参加，按照技术规范书的技术要求逐项完成所有测试项，检验单元是否功能、模块完整、正常运行。由卖方现场安装、测试，买方确认测试合格通过后完成验收。
2)卖方负责组织和实施整个单元的组装、调试、系统集成工作；负责免费培训并提供培训教材。3-2002印制板的设计和使用
GB/T9969-2008工业产品使用说明书总则
GB/T6988-2008电气技术用文件的编制
GB/T3859。培训后，应能达到用户能基本完全独立熟练操作单元进行功率半导体性能测试，并能解决实际工程问题。
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