光刻胶的应用
光刻胶的应用
1975年，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯化学品制定了国际统一标准——SEMI标准。五、曝光在这一步中，将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射。1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。两种标准对超净高纯化学品中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。
NR74g 3000PY光刻胶公司
光刻胶的应用
光刻胶的应用
1975年，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯化学品制定了国际统一标准——SEMI标准。五、曝光在这一步中，将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射。1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。两种标准对超净高纯化学品中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。其中，SEMI标准更早取得世界范围内的普遍认可。
光刻胶市场
光刻胶市场扩增，对光刻胶的总需求不断提升。“10次方的光刻胶经过多次烘烤，由于达不到客户需求的防静电作用，不能应用到新一代窄边框等面板上。据估计，2015年国际光刻胶市场达73.6亿美元，其中PCB光刻胶占比24.5%，LCD光刻胶占26.6%，半导体光刻胶占比24.1%。2010年到2015年期间，国际光刻胶市场年复合增长率约为5.8%；据产业信息网数据，2015年，PCB光刻胶、LCD光刻胶和半导体光刻胶的国际市场增速均在5%左右。在下游产业的带动下，江瀚咨询预计国际光刻胶市场规模在2022年可能突破100亿美元。
芯片光刻的流程详解（二）
所谓光刻，根据维基百科的定义，这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。虽然在甩胶之后，液态的光刻胶已经成为固态的薄膜，但仍有10％－30％的溶剂，容易沾污灰尘。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。
光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。
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