11）动态测试续流二极管用于防止测试过程中的过电压。压降小于1V浪涌电流大于20kA反向恢复时间小于2μs工作温度 室温～40℃工作湿度 12）安全工作区测试续流二极管浪涌电流 大于20kA反向恢复时间 小于2μS工作湿度 13）被测器件旁路开关被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。电流能力 DC 50A隔离耐压 15kV响应时间 150ms工作方式 气动控制工作气
封装用IGBT测试仪厂家
11）动态测试续流二极管
用于防止测试过程中的过电压。
压降小于1V
浪涌电流大于20kA
反向恢复时间小于2μs
工作温度 室温～40℃
工作湿度 <70%
12）安全工作区测试续流二极管
浪涌电流 大于20kA
反向恢复时间 小于2μS
工作湿度 <70%
13）被测器件旁路开关
被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。
电流能力 DC 50A
隔离耐压 15kV
响应时间 150ms
工作方式 气动控制
工作气压 0.4MPa
工作湿度 <70%
目的和用途
该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。用户能对旧品元件作筛选，留下可用元件，确实掌握设备运转的可靠度。
1.2 测试对象
IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块
2.测试参数及指标
2.1开关时间测试单元技术条件
开通时间测试参数：
1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns
2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns
3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns
4、开通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ
1～50mJ±5%±0.1mJ
50～100mJ±5%±1mJ
100～500mJ±5%±2mJ
5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS
6、开通峰值功率Pon：10W～250kW
2.4短路技术条件
1、Vcc： 200～1000V
200～1000V±3%±2V
2、一次短路电流：20000A
500～1000A±3%±2A
1000A～5000A±2%±5A
5000A～20000A±2%±10A
3、tp：5-30us
2.5雪崩技术条件
1、Vce：50～500V±3%±5V
500～1000V±3%±5V
2、Ic：1A～50A
1A～9.9A±3%±50mA
10A～50A±3%±1A
3、EA：10mJ～20J
10mJ～1000mJ±3%±1mJ
1J～20J±3%±10mJ
4、脉冲宽度：40—1000uS可设定
5、测试频率：单次
2.6 NTC测试技术条件
阻值测量范围：0～20KΩ
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