NR9-3000PY
四、对准（Alignment）
光刻对准技术是曝光前的一个重要步骤作为光刻的三大核心技术之一，一般要求对准精度为细线宽尺寸的 1/7---1/10。随着光刻分辨力的提高 ，对准精度要求也越来越高 ，例如针对 45am线宽尺寸 ，对准精度要求在5am 左右。
受光刻分辨力提高的推动 ，对准技术也经历 迅速而多样的发展 。从对准原理上及标记结 构分类
NR9 3000P光刻胶厂家
NR9-3000PY
四、对准（Alignment）
光刻对准技术是曝光前的一个重要步骤作为光刻的三大核心技术之一，一般要求对准精度为细线宽尺寸的 1/7---1/10。随着光刻分辨力的提高 ，对准精度要求也越来越高 ，例如针对 45am线宽尺寸 ，对准精度要求在5am 左右。
受光刻分辨力提高的推动 ，对准技术也经历 迅速而多样的发展 。从对准原理上及标记结 构分类 ，对准技术从早期的投影光刻中的几何成像对准方式 ，包括视频图像对准、双目显微镜对准等，一直到后来的波带片对准方式 、干涉强度对准 、激光外差干涉以及莫尔条纹对准方式 。从对准信号上分 ，主要包括标记的显微图像对准 、基于光强信息的对准和基于相位信息对准。江苏博砚电子科技有限公司董事长宗健表示，光刻胶要真正实现国产化，难度很大。
PR1-1000A1NR9 3000P光刻胶厂家NR9 3000P光刻胶厂家
5,显影液
在已经曝光的硅衬底胶面喷淋显影液，或将其浸泡在显影液中，正胶是曝光区、而负胶是非曝光区的胶膜溶入显影液，胶膜中的潜影显现出来，形成三维图像。
显影完成后通常进行工艺线的显影检验，通常是在显微镜下观察显影效果，显影是否、光刻胶图形是否完好。
影响显影的效果主要因素：
1，曝光时间，2前烘温度和时间，3光刻胶膜厚，4显影液浓度温度，5显影液的搅动情况。
 企业名片
|
北京赛米莱德贸易有限公司
况经理(False) / |
|
联系地址：中国· 北京市· 北京市·北京市北京经济技术开发区博兴九路2号院5号楼2层208（邮编:100000） 联系电话：010-63332310 手机：15201255285
联系传真：010-63332310
电子邮箱：info@semild.com 联系QQ：214539837
|
