对圆周方向的电阻值的不均匀依然无法改善。
此外，采用连续硫化法时，如果硫化时的热传递没有设法尽量达到均匀，则挤压后的硫化速度不一致，这样可能电阻值的不均匀程度反而大于间歇式硫化法。特别是在圆周方向上这种倾向更显著。
采用连续硫化法时，在挤压机的挤压筒内的半径方向上有非常大的剪切速度分布，这可能会影响电子导电性填充剂的分散。
为了形成高质量图
银蒸发镀靶材生产加工
对圆周方向的电阻值的不均匀依然无法改善。
此外，采用连续硫化法时，如果硫化时的热传递没有设法尽量达到均匀，则挤压后的硫化速度不一致，这样可能电阻值的不均匀程度反而大于间歇式硫化法。特别是在圆周方向上这种倾向更显著。
采用连续硫化法时，在挤压机的挤压筒内的半径方向上有非常大的剪切速度分布，这可能会影响电子导电性填充剂的分散。
为了形成高质量图像，聚合色粉被广泛使用，以代替惯常使用的粉碎色粉。聚合色粉允许点的，从而出色地由数字信息获得印刷物，由此得到高质量的印刷物。0003和改进形成精细分配的色粉颗粒、使色粉粒径均一、使色粉颗粒呈球形的技术、以及从粉碎色粉到聚合色粉的转变相一致地，在电子成像装置比如激光束打印机等的成像装置中，需要开发出一种导电辊，其赋予色粉以高静电充电特性。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，可用于低温电磁设备。
在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。超纯金属是相对高纯度的金属，一般指金属纯度达到纯度9以上的金属，物理杂质的概念才是有意义的。
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