腐蚀机为人工气候环境“三防”（湿热、盐雾、霉菌）试验设备之一，是研究机械、工业、轻工电子、仪表等行业各种环境适应性和可靠性的一种重要试验设备。 传统的化学蚀刻机分为泼溅式腐蚀机、水平蚀刻机，然而在实际生产过程中，由于各种原因，蚀刻精度往往很难控制，容易产生测腐蚀现象；华谊智能科技通过市场的反馈和多年的蚀刻设备制造经验，研发出一款反喷淋式转盘蚀刻机（转盘大小可定做），将工件夹在
钛金腐蚀机器机械设备
腐蚀机为人工气候环境“三防”（湿热、盐雾、霉菌）试验设备之一，是研究机械、工业、轻工电子、仪表等行业各种环境适应性和可靠性的一种重要试验设备。 传统的化学蚀刻机分为泼溅式腐蚀机、水平蚀刻机，然而在实际生产过程中，由于各种原因，蚀刻精度往往很难控制，容易产生测腐蚀现象；华谊智能科技通过市场的反馈和多年的蚀刻设备制造经验，研发出一款反喷淋式转盘蚀刻机（转盘大小可定做），将工件夹在转盘上，独立摇摆喷架由下往上高压喷淋，同时转盘也自转，这样就避免了蚀刻液在工件表面的残留，提高了蚀刻精度。 同时转盘蚀刻机标配：4KW立式耐酸泵、全压过滤器、钛合金加热管、钛合金水冷管、温度显示自动加热系统等等。
等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。近期的发展是在反应室的内部安装成搁架形式，这种设计的是富有弹性的，用户可以移去架子来配置合适的等离子体的蚀刻方法：反应性等离子体（RIE），顺流等离子体（downstream），直接等离子体（direction plasma）。
蚀刻机和光刻机的区别
这俩设备非常简单的表述便是光刻机把原理图投射到遮盖有光刻胶的硅片上边，刻蚀机再把刚刚画了原理图的硅片上的不必要原理图浸蚀掉，那样看上去好像没有什么难的，可是有一个形象的形容，每一块集成ic上边的电源电路构造变大成千上万倍看来比全部北京市都繁杂，这就是这光刻和蚀刻加工的难度系数。
光刻的全过程就是目前制做好的硅圆表面涂上一层光刻胶(一种能够被光浸蚀的胶状物化学物质)，下面根据光源(加工工艺难度系数紫外线＜深紫外线＜极紫外线)通过掩膜照射硅圆表面(相近投射)，由于光刻胶的遮盖，照射的一部分被浸蚀掉，沒有阳光照射的一部分被留下，这一部分就是必须 的电源电路构造。
蚀刻加工分成二种，一种是干刻，一种是湿刻(现阶段流行)，说白了，湿刻便是全过程中存水添加，将上边历经光刻的圆晶与特殊的化学溶液反映，除掉不用的一部分，剩余的就是电源电路构造了，干刻现阶段都还没完成商业服务批量生产，其基本原理是根据等离子技术替代化学溶液，除去不用的硅圆一部分。
蚀刻机可以分为化学蚀刻机及电解蚀刻机两类。在化学蚀刻中是使用化学溶液，经由化学反应以达到蚀刻的目的，化学蚀刻机是将材料用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。
光刻机(Mask Aligner) 又名:掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。Photolithography(光刻) 意思是用光来制作一个图形(工艺);在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时""到硅片上的过程。
光栅刻画:光学中光栅通常的作用是色散。光栅刻划是制作光栅的方法之一。
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