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检修用IGBT测试仪批发推荐厂家「华科智源」

测量目的:对模块的电压降参数进行检测, 可判断模块是否处于正常状态。 功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化,饱和压降Vcesat会逐渐劣化。4验收和测试 1)验收由双方共同参加,按照技术规范书的技术要求逐项完成所有测试项,检验单元是否功能、模块完整、正常运行。因此,定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成,由于个体差异,大电流情况下的参数也会存在个体差异。
检修用IGBT测试仪批发

测量目的:对模块的电压降参数进行检测, 可判断模块是否处于正常状态。 功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化,饱和压降Vcesat会逐渐劣化。4验收和测试 1)验收由双方共同参加,按照技术规范书的技术要求逐项完成所有测试项,检验单元是否功能、模块完整、正常运行。因此,定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成,由于个体差异,大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此,测量大电流情况下的各个模块实际技术参数,进行跟踪管理,可有效保障机车中间直流环节可靠运行。 IGBT模块VCE-IC特线(单管),Vcesat随电流变大而增大。



测试参数: ICES 集电极-发射极漏电流 IGESF 正向栅极漏电流 IGESR 反向栅极漏电流 BVCES 集电极-发射极击穿电压 VGETH 栅极-发射极阈值电压 VCESAT 集电极-发射极饱和电压 ICON 通态电极电流 VGEON 通态栅极电压 VF 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用。以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。



11)动态测试续流二极管

用于防止测试过程中的过电压。

压降小于1V

浪涌电流大于20kA

反向恢复时间小于2μs

工作温度 室温~40℃

工作湿度 <70%

12)安全工作区测试续流二极管

浪涌电流 大于20kA

反向恢复时间 小于2μS

工作湿度 <70%

13)被测器件旁路开关

被测安全接地开关,设备不运行时,被测接地。

电流能力 DC 50A

隔离耐压 15kV

响应时间 150ms

工作方式 气动控制

工作气压 0.4MPa

工作湿度 <70%



IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求 1)阈值电压测试电路 阈值电压测试电路(仅示出IEC标准测试电路) 满足表格9测试参数要求 低压开关电源要求:Vcc=12V (针对上图电路) 可调电源:0.1~10V±1%±0.01V;分辨率0.01V 集电极电流测试电路精度:10~50mA±1%±0.5mA; 50~200mA±1%±1mA;200~1000mA±1%±2mA;3半导体变流器变压器和电抗器 GB/T4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管。1000~2000mA±1%±5mA; 2)集射极截止电压/集射极截止电流测试电路 集射极截止电压/发射极截止电流测试电路 高压充电电源:10~2kV连续可调 支撑电容:额定电压2kV 集电极电流ICES:0.01~1mA±3%±0.001mA;1~10mA±2%±0.01mA;10~30mA±1%±0.1mA;30~300mA±1%±0.1mA 集电极电压VCES:200~1500V±2%±1V





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