脉冲激光沉积系统配置介绍
想要了解更多脉冲激光沉积的相关内容，请及时关注沈阳鹏程真空技术有限责任公司网站。
脉冲激光沉积系统配置：
生长室，进样室可选水平、垂直两种靶台可选激光加热和辐射加热两种样品台可选，激光加热高的温度1200℃工艺气路可以任意搭配配备高压RHEED，工作气压可达100Pa可预留法兰，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可选项如
激光脉冲沉积装置厂家
脉冲激光沉积系统配置介绍
想要了解更多脉冲激光沉积的相关内容，请及时关注沈阳鹏程真空技术有限责任公司网站。
脉冲激光沉积系统配置：
生长室，进样室可选水平、垂直两种靶台可选激光加热和辐射加热两种样品台可选，激光加热高的温度1200℃工艺气路可以任意搭配配备高压RHEED，工作气压可达100Pa可预留法兰，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可选项如臭氧发生器，离子源，掩膜系统等。PLD主要选件离子辅助沉积(IBAD)系统介绍离子辅助沉积已经成为在无规取向的基片或无定形基片上沉积双轴结构薄膜的一种重要技术。
脉冲激光沉积选件介绍
沈阳鹏程真空技术有限责任公司——生产、销售脉冲激光沉积，我们公司坚持用户为上帝，想用户之所想，急用户之所急，以诚为本，讲求信誉，以产品求发展，以质量求生存，我们热诚地欢迎各位同仁合作共创。
连续组成扩展(CCS )
常规沉积条件下的组合合成
组合合成是一种基于脉冲激光沉积的、组合材料合成的新型连续组成扩展(CCS) 方法。PLD-CCS 系统能以连续的方式改变材料，没有必要使用掩模。可以在每一次循环中，以小于一个单分子层的速率，连续沉积每一种组份，其结果是基本等同于共沉积法。该法无需在沉积后进行退火促进内部扩散或结晶，对于生长温度是关键参数的研究或者被沉积的材料或基片不适合高温退火的情况是有用的。二维扫描机械平台，执行两自由度扫描,控制的内容主要有公转换靶、靶自转、样品自转、样品控温、激光束扫,质量流量控制器1路烘烤温度：150℃数显自动热偶控温（高温炉盘，数显自动热偶控温可加热到800℃）。
脉冲激光沉积系统特点及优势：
可根据客户需求定制产品，灵活性高，并提供的技术支持；靶台可以安装6个靶位，靶材更换灵活；样品台样品尺寸从10x10mm样品到2英寸样品均适用；进样室可以存储多个靶和样品；交易过程无需繁琐的进、出关手续, 交货期短，；
沈阳鹏程真空技术有限责任公司拥有的技术，我们都以质量为本，信誉高，我们竭诚欢迎广大的顾客来公司洽谈业务。如果您对脉冲激光沉积感兴趣，欢迎点击左右两侧的在线客服，或拨打咨询电话。
脉冲激光沉积设备介绍
以下是沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您一起分享的内容，沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产脉冲激光沉积，欢迎新老客户莅临。
是比较理想的薄膜与涂层合成设备。可制备的薄膜包括氮化物、氧化物、多层膜、钻石、石墨烯、碳纳米管、2D材料。7×10Pa恢复真空时间：从1×10Pa抽至5×10Pa≤20min系统漏率：6。Blue Wave还提供相关系统配件，例如基片加热装置、原位监测工具。此外，BlueWave还为您提供标准的薄膜以及材料涂层，例如氧化物涂层、导电薄膜、无定型或纳米晶Si/SiC、晶体AlN-GaN、聚合物、纳米钻石、HFCVD钻石涂层以及器件加工。
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