双室磁控溅射系统
想了解更多关于磁控溅射产品的相关资讯，请持续关注本公司。
设备简介
主要特点是设备体积小，结构简单紧凑易于操作，对实验室供电要求低；该系列设备主要部件采用进口或者国内优的配置，从而提高设备的稳定性；另外自主开发的智能操作系统在设备的运行重复性及安全性方面得到更好地保障。 目前该系列有基本型、旗舰型、豪华型、尊享型4种不同配置可供选择，可以根据
磁控溅射仪厂家
双室磁控溅射系统
想了解更多关于磁控溅射产品的相关资讯，请持续关注本公司。
设备简介
主要特点是设备体积小，结构简单紧凑易于操作，对实验室供电要求低；该系列设备主要部件采用进口或者国内优的配置，从而提高设备的稳定性；另外自主开发的智能操作系统在设备的运行重复性及安全性方面得到更好地保障。 目前该系列有基本型、旗舰型、豪华型、尊享型4种不同配置可供选择，可以根据客户的不同需求进行配置，比较灵活；标配4只Φ2英寸永磁靶，4台500W直流溅射电源，主要用来开发纳米级单层及多层的金属导电膜、半导体膜以及绝缘膜等。一个靶枪配套的是直流电源，用于导电材料的溅射镀膜2：该镀膜仪可以制备多种不同材料的薄膜，应用非常广泛。
磁控溅射的种类介绍
磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点：利用磁场与电场交互作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而增大电子撞击气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。
靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源镀膜均匀，非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜，非平衡多用于磨损装饰膜。如果您想要了解更多磁控溅射产品的知识，欢迎拨打图片上的热线联系我们。磁控阴极按照磁场位形分布不同，大致可分为平衡态磁控阴极和非平衡态磁控阴极。平衡态磁控阴极内外磁钢的磁通量大致相等，两极磁力线闭合于靶面，很好地将电子/等离子体约束在靶面附近，增加了碰撞几率，提高了离化效率，因而在较低的工作气压和电压下就能起辉并维持辉光放电，靶材利用率相对较高。
但由于电子沿磁力线运动主要闭合于靶面，基片区域所受离子轰击较小。非平衡磁控溅射技术，即让磁控阴极外磁极磁通大于内磁极，两极磁力线在靶面不完全闭合，部分磁力线可沿靶的边缘延伸到基片区域，从而部分电子可以沿着磁力线扩展到基片，增加基片磁控溅射区域的等离子体密度和气体电离率。不管平衡还是非平衡，若磁铁静止，其磁场特性决定了一般靶材利用率小于30%。磁控溅射镀膜设备技术含量高，那么就一定要拥有一个非常强大的磁控溅射镀膜设备技术工程队伍，磁控溅射镀膜设备行业资深的，磁控溅射镀膜设备可根据用户的产品工艺及物殊要求设计配置。为增大靶材利用率，可采用旋转磁场。但旋转磁场需要旋转机构，同时溅射速率要减小。旋转磁场多用于大型或贵重靶，如半导体膜溅射。对于小型设备和一般工业设备，多用磁场静止靶源。
如需了解更多磁控溅射产品的相关内容，欢迎拨打图片上的热线电话！
磁控溅射镀膜机导致不均匀因素哪些？
想要了解更多磁控溅射产品的相关内容，请及时关注沈阳鹏程真空技术有限责任公司网站。
原理上讲，两点：气场和磁场
磁控溅射在0.4Pa的气压情况下离子撞击靶材，溅射出粒子沉积到基材上，整体靶材的电压几乎一致，不影响溅射速率。
0.4Pa的气场情况是溅射速率较高的情况，气场变化，压强变大和变小都会影响溅射速率。
磁场大，束缚的自由电子增多，溅射速率增大，磁场小，束缚的自由电子就少，溅射速率降低。
稳定住气场和磁场，溅射速率也将随之稳定。
在实际情况下，气场稳定，需要设计布气系统，将布气系统分级布置，保障镀膜机腔体内不同位置的进气量相同，同时，布气系统、靶材、基材等要远离镀膜机的抽气口。对于溅射类镀膜，可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且沉积在基片表面，经历成膜过程，形成薄膜。需要稳定磁场，用高斯计测量靶材表面磁场强度，由于磁场线本身是闭合曲线，靶材磁场回路两端磁场强度自然比中间位置强，可以选择用弱磁铁，同时，基材要避开无法调整的磁场变化较大的部分。
另外，在设备结构设计方面，磁控溅射过程中，需要基材与靶材保持同轴，如果旋转、直线运行的话，也要同轴旋转、直线运行。
（作者： 来源：）
