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在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。
在N
贴片肖特基二极管
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在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。
在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极)时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小;反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管(双二极管)式两种封装形式
关于 ASEMI肖特基二极管 的封装
通过型号识别封装外形：
MBR10100:TO-220AC,单芯片，两引脚，
MBR10100CT:TO-220AB,双芯片，三引脚，型号后缀带CT
MBRB10100CT:TO-263（D2PAK）、贴片。
型号前面四个字母B,代表TO-263,国际通用命名。双芯片，三引脚，型号后缀带CT
MBRD1045CT:TO-252（DPAK）、贴片。
MBRD与MBRB都是贴片，D:TO-252,B:TO-263.
MBR3045PT:TO-3P,型号后缀"PT"代表TO-3P封装，
原MOTOROLA现叫做SOT-93
SD1045:D表示TO-251
MURF1060CT 强元芯ASEMI核芯动力 快恢复实力彰显！
采用了台湾健鼎的一体化测试设备，减少人工操作环节，同时检测Vb、Io、If、Vf、Ir等12个参数经过6道检测。更是打破业界测试标准，将漏电流有5uA加严到2uA以内；正向压降Vf由1.0V加严到0.98V即单颗管芯VF控制在0.49V以内。其采用俄罗斯进口晶圆Mikron米克朗芯片，具有高抗冲击能力，电性能稳定，可信赖度佳。
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