化学气相沉积技术在材料制备中的使用
化学气相沉积法生产晶体、晶体薄膜
化学气相沉积法不但可以对晶体或者晶体薄膜性能的改善有所帮助，而且也可以生产出很多别的手段无法制备出的一些晶体。化学气相沉积法常见的使用方式是在某个晶体衬底上生成新的外延单晶层，开始它是用于制备硅的，后来又制备出了外延化合物半导体层。它在金属单晶薄膜的制备上也比较常见（比如制备 W、Mo、Pt、Ir
等离子化学气相沉积设备价格
化学气相沉积技术在材料制备中的使用
化学气相沉积法生产晶体、晶体薄膜
化学气相沉积法不但可以对晶体或者晶体薄膜性能的改善有所帮助，而且也可以生产出很多别的手段无法制备出的一些晶体。化学气相沉积法常见的使用方式是在某个晶体衬底上生成新的外延单晶层，开始它是用于制备硅的，后来又制备出了外延化合物半导体层。它在金属单晶薄膜的制备上也比较常见（比如制备 W、Mo、Pt、Ir 等）以及个别的化合物单晶薄膜（例如铁酸镍薄膜、钇铁石榴石薄膜、钴铁氧体薄膜等）。ICP刻蚀机检测技术高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。
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化学气相沉积技术生产多晶/非晶材料膜：
化学气相沉积法在半导体工业中有着比较广泛的应用。比如作为缘介质隔离层的多晶硅沉积层。在当代，微型电子学元器件中越来越多的使用新型非晶态材料，这种材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等。此外，也有一些在未来有可能发展成开关以及存储记忆材料，例如氧化铜-氧化铜等都可以使用化学气相沉积法进行生产。7)反应温度太高，一般要850~1100℃下进行，许多基体材料都耐受不住CVD的高温。
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化学气相沉积法在金属材料方面的使用
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化学气相沉积法生产几种金属薄膜
金属薄膜因其有着较好的高导电率、强催化活性以及极其稳定引起了研究者的兴趣。和生成金属薄膜的其他方式相比，化学气相沉积法有更多技术优势，所以大多数制备金属薄膜都会采用这种方式。沉积金属薄膜用的沉积员物质种类比较广泛，不过大多是金属元素的卤化物和有机化合物，比如COCl2、氯化碳酰铂、氯化碳酰铱、DCPD化合物等等。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是在高频或直流电场作用下，源气体电离形成等离子体，利用低温等离子体作为能量源，通入适量的反应气体，利用等离子体放电，使反应气体激发并实现化学气相沉积的技术。
Goto 团队在金属薄膜用作电极材料上做了大量的工作。他们所使用的衬底材料有蓝宝石、石英玻璃以及氧化钇稳定化的二氧化锆（YSZ）等等。在成沉积时往装置中通入氧气是为了消除掉原料因热分解产生的碳，并制备出更有金属光泽的金属薄膜，如若不然则得到的就是铱碳簇膜，也就是纳米等级被晶碳层所包裹的铱颗粒。沉积在YSZ 上面的铱碳簇膜有着较好的电性能和催化活性。在比较低的温度下，铱碳簇膜的界面电导率能达到纯铱或者纯铂的百倍以上。金属和炭组成的簇膜是一种输送多孔催化活性强的簇膜，在电极材料上的使用在未来将很有潜力。钯的化学气相沉积Pd及其合金对氢气有着极强的吸附作用以及特别的选择渗透性能，是一种存储或者净化氢气的理想材料。
PCVD工艺的具体流程
PCVD工艺的具体流程如下：
(1)沉积。沉积过程借助低压等离子体使流进高纯度石英玻璃沉积管内的气态卤化物和氧气在1000℃以上的高温条件下直接沉积成设计要求的光纤芯中玻璃的组成成分。
(2)熔缩。沿管子方向往返移动的石墨电阻炉对小断旋转的管子加热到大约2200℃，在表面张力的作用下，分阶段将沉积好的石英管熔缩成一根实心棒(预制棒)。
(3)套棒。为获得光纤芯层与包层材料的适当比例，将熔缩后的石英棒套入一根截面积经过精心挑选的管子中，这样装配后即可进行拉丝。
(4)拉丝。套棒被安装在拉丝塔的顶部，下端缓缓放入约2100℃的高温炉中，此端熔化后被拉成所需包层直径的光纤(通常为125 cm)，并进行双层涂覆和紫外固化。
(5)光纤测试。拉出的光纤要经过各种试，以确定光纤的几何、光学和机械性能。
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