EMMI可广泛应用于侦测各种组件缺陷所产生的漏电流，包括闸极氧化层缺陷(Gate oxide defects)、静电放电破坏(ESD Failure)、闩锁效应(Latch Up)、漏电(Leakage)、接面漏电(Junction Leakage) 、顺向偏压(Forward Bias)及在饱和区域操作的晶体管，可藉由EMMI定位，找热点(Hot Spot 或找亮点)位置，进而得
红外显微镜系统
EMMI可广泛应用于侦测各种组件缺陷所产生的漏电流，包括闸极氧化层缺陷(Gate oxide defects)、静电放电破坏(ESD Failure)、闩锁效应(Latch Up)、漏电(Leakage)、接面漏电(Junction Leakage) 、顺向偏压(Forward Bias)及在饱和区域操作的晶体管，可藉由EMMI定位，找热点(Hot Spot 或找亮点)位置，进而得知缺陷原因，帮助后续进一步的失效分析。
侦测到亮点之情况；
会产生亮点的缺陷：1.漏电结；2.解除毛刺；3.热电子效应；4闩锁效应； 5氧化层漏电；6多晶硅须；7衬底损失；8.物理损伤等。 侦测不到亮点之情况 不会出现亮点之故障：1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形（埋入式的接面及 金属线底下的漏电位置）；2.欧姆接触；3.金属互联短路；4.表面 反型层；5.硅导电通路等。
点被遮蔽之情况：埋入式的接面及金属线底下的漏电位置，这种情 况可采用Backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，且需要减薄及 抛光处理。
微光显微镜emmi检测和emmi分析解说
通常第三方检测实验室用户对emmi检测需要了解哪些内容呢？首先在分析故障的时候利用微光显微镜，它的主要特点是效率非常高，主要侦测IC内部所发射出来的光子，在检测芯片的时候由于电子很容易扩散到的位置。所以做emmi检测通常是非常有必要的。它的主要优势就是通过产生亮点的缺陷，能够接处毛刺从而有效的进行分析，可以检测不到亮点的情况，然后进行排除。同时利用光诱导的电阻变化能够准确的，对于IC元件的短路，或者是互联当中所出现的空洞来进行检测，这样才会更加的。
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