测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。由于科技进步，电力电子装置对
检修用IGBT测试仪价格
测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换。
半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，都具有独立的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用； 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。4)湿度：20%RH至90%RH(无凝露，湿球温度计温度:40℃以下)。
3.3主要技术要求
3.3.1 动态参数测试单元技术要求
3.3.1.1 环境条件
1)海拔高度：海拔不超过1000m；
2)温度：储存环境温度 -20℃～60℃；
3)工作环境温度： -5℃～40℃；
4)湿度：20%RH 至 90%RH (无凝露，湿球温度计温度: 40℃以下)；
5)震动：抗能力按7级设防，地面抗震动能力≤0.5g；
6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害；
用于安装固定试验回路及单元；主要技术参数要求如下；
风冷系统；
可显示主要电气回路参数及传感器测量值；
可直观监视试验过程，并可兼容高温摄像头；
防护等级：IP40。
面板按钮可以进行紧急操作
机柜颜色：RAL7035
17）压接夹具及其配套系统
工作压力范围：5～200kN；分辨率0.1kN
上下极板不平行度小于20μm
极板平整度小于10μm
压力可连续调节，施加压力平稳，不可出现加压时压力过冲
安全技术要求：满足GB 19517—2009电气设备安全技术规范；
测试工作电压：10kV（整体设备满足GB 19517—2009标准外，局部绝缘电压应满足测试需求）
18）其他辅件
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