方箱PECVD简介
该系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺研发设备，用来在硅片上沉积SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，镀膜样品为156×156mm基片（并向下兼容）。
设备概述：
1.系统采用单室方箱式结构，手动前开门；
2.真空室:尺寸为350mm×350×280mm；
3.极限真空度：≤6.67x10-
等离子化学气相沉积设备厂家
方箱PECVD简介
该系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺研发设备，用来在硅片上沉积SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，镀膜样品为156×156mm基片（并向下兼容）。
设备概述：
1.系统采用单室方箱式结构，手动前开门；
2.真空室:尺寸为350mm×350×280mm；
3.极限真空度：≤6.67x10-4 Pa (经烘烤除气后，采用分子泵抽气)；
系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa，35分钟可达到
（采用分子泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)； 停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa（采用分子
泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)；
4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；
5.样品加热加热温度：300℃，温控精度：±1°C，采用日本进口控温表进行控温；
6.喷淋头尺寸：200×200mm，喷淋头与样品之间电极间距20-80mm连续可调；
7. 沉积工作真空：13-1300Pa；
8.气路设有匀气系统，真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置；
9.射频电源：频率 13.56MHz，功率500W，全自动匹配；
10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路气体，共计使用7个质量流量控制器控制进气。
11. 系统设有尾气处理系统(高温裂解方式)。
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化学气相沉积法在金属材料方面的使用
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钯的化学气相沉积Pd 及其合金对氢气有着极强的吸附作用以及特别的选择渗透性能，是一种存储或者净化氢气的理想材料。激光干涉：激光干涉终点法（IEP）是用激光光源检测透明薄膜厚度的变化，当厚度变化停止时，则意味着到达了刻蚀终点。对于Pd 的使用大多是将钯合金或是钯镀层生产氢净化设备 。也有些学者使用化学气相沉积法将钯制成薄膜或薄层。具体做法是使用分解温度极低的金属有机化合物当做制备钯的材料，具体包括：烯丙基Pd（η-C3H5） （η-C5H5）以及 Pd（η-C3H5）（CF3COCHCOCF3）之类的材料，使用这种方式能够制取出纯度很高的钯薄膜。
化学气相沉积的特点有哪些？
高温石英管反应器设计
温度范围：室温到1100度
多路气体准确控制
标准气压计
易于操作
可配机械泵实现低压TCVD
可用于制备金属氧化物、氮化物、碳化物、金属薄膜
液体前驱体喷头
沈阳鹏程真空技术有限责任公司本着多年化学气相沉积行业经验，专注化学气相沉积研发定制与生产，的化学气相沉积生产设备和技术，建立了严格的产品生产体系，想要更多的了解，欢迎咨询图片上的热线电话！！！
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