三、华科智源IGBT测试仪系统特征：
A：测量多种IGBT、MOS管
B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比。
C：脉冲宽度 50uS~300uS
D：Vce测量精度2mV
E：Vce测量范围>10V
F：电脑图形显示界面
G：智能保护被测量器件
H：上位机携带数据库功能
I：MOS IGBT内部二极管压
风力发电用IGBT测试仪价格
三、华科智源IGBT测试仪系统特征：
A：测量多种IGBT、MOS管
B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比。
C：脉冲宽度 50uS~300uS
D：Vce测量精度2mV
E：Vce测量范围>10V
F：电脑图形显示界面
G：智能保护被测量器件
H：上位机携带数据库功能
I：MOS IGBT内部二极管压降
J : 一次测试IGBT全部静态参数
K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）
L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；
华科智源IGBT测试仪制造标准
华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能。
GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
GB 13869-2008 用电安全导则
GB19517-2004 电器设备安全技术规范
GB 4208-2008 外壳防护等级（IP 代码）（IEC 60529：2001，IDT）
GB/T 191-2008 包装储运图示标志
GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件
GB/T 2423 电工电子产品环境试验
GB/T 3797-2005 电气控制设备
GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用
GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则
GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制
GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器
GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管
IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求
1）阈值电压测试电路
阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路）
满足表格9测试参数要求
低压开关电源要求：Vcc=12V (针对上图电路)
可调电源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V
集电极电流测试电路精度：10～50mA±1%±0.5mA；当大功率元件在作导通参数的测试时，电流必须大到其所能承受的正常工作值，同时，在作关闭参数的漏电流测试时，电压也必须够高，以元件在真正工作状态下的电流与电压，如此其老化的程度才可显现。
50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA；
2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路
集射极截止电压/发射极截止电流测试电路
高压充电电源：10~2kV连续可调
支撑电容：额定电压2kV
集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA
集电极电压VCES：200～1500V±2%±1V
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