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抛光过程分为两个步骤,切削和终抛光。这两步都要用到抛光垫和抛光浆。切削过程是去除硅上薄薄的一层,以生产出表面没有损伤的晶圆片。终抛光并不去除任何物质,只是从抛光表面去除切削过程中产生的微坑。
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在各大科技厂商中,IBM是建议将碳纳米管应用于微电子领域的强力支持者之一,该公司已经明确表示希望碳纳米管技术将在接下来的十年内准备就绪,届时预计半导体芯片的尺寸将缩小至5纳米的极限尺寸。但截至目前,各大学和芯片厂商的研究人员还只能成功地将碳纳米管用于单独器件的制作,如制作晶体管等。硅芯片的生命周期相较计算机工程师原本的设想已经长了数十年,这是因为虽然晶体管的尺寸在一代代变小,但人们总有相应的工艺在上面蚀刻电路。
在计算机芯片行业中,被用于蚀刻电路的硅芯片已经变得比光的波长还要细小,而且工程师和科学家们相信,硅芯片的尺寸还有继续缩小的空间,至少目前的情况是这样的。但是,硅材料的物理尺寸极限终有会到来,从而终结由摩尔定律所定义的微电子时代。加工硅晶片生成一个硅锭要花一周到一个月的时间,这取决于很多因素,包括大小、质量和终端用户要求。摩尔定律是由英特尔创始人之一戈登·摩尔(GordonMoore)于1965年提出来的,它指出:当价格不变时,集成电路上可容纳的晶体管数量大约每隔18个月便会翻一番,性能也将提升一倍。
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