压力传感器如何抗干扰：
低频磁屏蔽
干扰如为低频磁场，这时的电涡流现象不太明显，只用上述方法抗干扰效果并不太好，因此必须采用采用高导磁材料作屏蔽层，以便把低频干扰磁感线限制在磁阻很小的磁屏蔽层内部。使被保护电路免受低频磁场耦合干扰的影响。这种屏蔽方法一般称为低频磁屏蔽。压力传感器检测仪器的铁皮外壳就起低频磁屏蔽的作用。若进一步将其接地，又同时起静电屏蔽和电磁屏蔽的作
VP200-14T-6250000传感器
压力传感器如何抗干扰：
低频磁屏蔽
干扰如为低频磁场，这时的电涡流现象不太明显，只用上述方法抗干扰效果并不太好，因此必须采用采用高导磁材料作屏蔽层，以便把低频干扰磁感线限制在磁阻很小的磁屏蔽层内部。使被保护电路免受低频磁场耦合干扰的影响。这种屏蔽方法一般称为低频磁屏蔽。压力传感器检测仪器的铁皮外壳就起低频磁屏蔽的作用。若进一步将其接地，又同时起静电屏蔽和电磁屏蔽的作用。
基于以上三种常用的屏蔽技术，因此在干扰比较严重的她方，可以采用复合屏蔽电缆，即外层是低频磁屏蔽层。内层是电磁屏蔽层达到双重屏蔽的作用。例如电容式压力传感器在实际测量时其寄生电容是必须解决的关键问题，否则其传输效率、灵敏度都要变低。必须对压力传感器进行静电屏蔽，而其电极引出线就采用双层屏蔽技术，一般称之为驱动电缆技术。用这种方法可以有效的克服压力传感器在使用过程中的寄生电容。
大多数压力传感器的静态特性与环境温度有着密切的联系。实际工作中由于传感器的工作环境温度变化较大．又由于温度变化引起的热输出也较大,这将会带来较大的测量误差；继而影响到压力传感器的静态特性，所以设计中必须采取措施以减少或消除温度变化带来的测量影响。
压力传感器是把压力的变化转换成电阻值的变化来进行测量的，通常压力传感器输出的微小信号需通过后续的放大器进行放大，再传输给处理电路才能进行压力的检测。其阻值随压力的变化而变化。在传感器的应用中，为使传感器的技术指标及性能不受温度变化影响而采取一系列具体技术措施。称为温度补偿技术。一般传感器都在标准温度(20±5)℃下标定，但其工作环境温度也可能由零下几十摄氏度升到零上几十摄氏度。传感器由多个环节组成。尤其是金属材料和半导体材料制成的敏感元件，其静特性与温度有着密切的关系。信号调理电路的电阻、电容等元件特性基本不随温度变化。所以必须采取有效措施以抵消或减弱温度变化对传感器特性造成的影响。即必须进行压力传感器的温度补偿。
压力传感器在物联网的应用带来的启发
压力传感器的其中一个改变就是小型化，原来的压力传感器很大。传统的传感器缺点就是重量重、体积大。其优点则为有多种介质，包括夹板安装等都已经形成工业标准，同时还可以增加机械保护，如果硅芯片自身过压能力不好，可以通过增加保护膜片来增加过压保护能力。所以我们想是不是可以把这么大的东西搞得越小越好。
首先由于在物联网或工业物联网的应用上没有人再通过查看表头来查看信息了，所有信息都会发送到系统中，这就使得LCD、点阵等表头显示不再有意义。在数字化输出中，例如有485、LoRa、无线等形式输出，距离比较近的可以用ZigBee，距离比较远的可以用LoRa来实现。
然后物联网环境中介质一般比较单一，没有那么多复杂和带有腐蚀性的介质，因而可以不用做两个大的夹板溶池，也不需要大的清洗和排液系统，可以通过在传感器的两侧做两个排液孔实现排液，从而进一步降低传感器的成本和体积。
再次不再需要保护膜片。芯片有一个很大的特点就是单边过压，另外，在物联网应用场景中的小型化场合中不需要太大的耐压能力，因而可以省掉中心保护工艺，再小型化，这样成本也没有增加。
必须要有自补偿，对于差压来说，我们还是希望它可以适应各种温度的变化，特别是硅传感器，温度变化很重要。
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