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在外加电压为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡。在加正向偏压(即金属加正电压，半导体加负电压)时，自建场削弱，半导体一侧势垒降低，于是形成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度增加，形成由半导体到金属的较小反向电流。因此，SBD与PN结二极管一样，是一种具有单向导电性的非线性器件。
肖特基二极管的作用
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在外加电压为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡。在加正向偏压(即金属加正电压，半导体加负电压)时，自建场削弱，半导体一侧势垒降低，于是形成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度增加，形成由半导体到金属的较小反向电流。因此，SBD与PN结二极管一样，是一种具有单向导电性的非线性器件。
肖特基二极管分为有引线和表面安装(贴片式)两种封装形式。肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除材料、N-外延层(材料)、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成。
ASEMI生产肖特基二极管12年，产品型号参数，欢迎详询
ASEMI肖特基二极管和普通快恢复二极管的区别
肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。
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采用了台湾健鼎的一体化测试设备，减少人工操作环节，同时检测Vb、Io、If、Vf、Ir等12个参数经过6道检测。更是打破业界测试标准，将漏电流有5uA加严到2uA以内；正向压降Vf由1.0V加严到0.98V即单颗管芯VF控制在0.49V以内。其采用俄罗斯进口晶圆Mikron米克朗芯片，具有高抗冲击能力，电性能稳定，可信赖度佳。
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