（2）主要技术参数
1）基本参数
功率源： 5000V 1200A
2）栅极-发射极漏电流IGES
IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA
集电极电压VCE： 0V
栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V
3）集电极-发射极电压
集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压Vg
大功率IGBT测试仪批发
（2）主要技术参数
1）基本参数
功率源： 5000V 1200A
2）栅极-发射极漏电流IGES
IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA
集电极电压VCE： 0V
栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V
3）集电极-发射极电压
集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压Vge： 0V
4）集电极-发射极饱和电压VCESat
VCESat：0.2-5V
栅极电压Vge： ±15V±2%±0.2V
集电极电流ICE： 10-1200A±2%±1A
5）集电极-发射极截止电流ICES
集电极电压VCE： 100-5000V±3%
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压VGE： 0V
6）栅极-发射极阈值电压
VGEth： 1-10V±2%±0.1V
Vce： 12V
集电极电流ICE： 30mA±3%
7）二极管压降测试
VF： 0-5V±2%±0.01V
IF： 0-1200A±2%±1A
Vge： 0V
如何检测元件有老化的现象？
半导体元件有许多参数都很重要，有些参数如：放大倍率，触发参数，闩扣，保持参数，崩溃电压等，是提供给工程师在设计电路时的依据，在检测元件是否有老化的现象时，仅须测量导通参数及漏电流二项即可。将量测的数据与其出厂规格相比较，就可判定元件的好坏或退化的百分比。
何谓半导体元件的参数？对元件使用上有何重要性？半导体元器件检测中心——应用本公司测试系统可扩大检测中心的检测范围、提高检测效率，提升检测水平，增加经济效益。
中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的，因其必须承受规格上的电压与电流，在某条件下，承受度的数据便称为此元件的参数。若元件的工作条件超过其参数数据，元件可能会立刻烧毁或造成性的损坏。
3.6 VCES
集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES：
0.01～1mA±3%±0.001mA；
1～10mA±2%±0.01mA；
10～50mA±1%±0.1mA；
集电极电压VCES：
0-5000V±1.5%±2V；
*
3.7 ICES
集射极截止电流 0.01～50mA
集电极电压VCES：
50～500V±2%±1V；
500～5000V±1.5%±2V；
集电极电流ICES：
0.001～1mA±3%±0.001mA；
1～10mA±2%±0.01mA；
10～150mA±1%±0.1mA；
*
3.8 VCE(sat)
饱和导通压降 0.001～10V
集电极电流ICE：
0-1600A 集电极电压VCEs：
0.001～10V±0.5%±0.001V
栅极电压Vge：
5～40V±1%±0.01V
集电极电流ICE：
0～100A±1%±1A；
100～1600A±2%±2A；
*
3.9 Iges
栅极漏电流 0.01～10μA
栅极漏电流IGEs：
0.01～10μA±2%±0.005μA
栅极电压Vge：
±1Ｖ～40V±1%±0.1V；
Vce=0V；
* 3.10 VF
正向特性测试 0.1～5V 二极管导通电压Vf：
0.1～5V±1%±0.01V
电流IF：
0～100A±2%±1A；西门子PLC逻辑控制15）数据采集与处理单元用于数据采集及数据处理，主要技术参数要求如下：。
100～1600A±1.5%±2A；
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