IGBT测试装置技术要求
（1）设备功能
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的，系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试，在IGBT的检测中，采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。01mA
栅极电压VGE： 0V
6）栅极-发射极阈值电压
VGEth： 1-
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IGBT测试装置技术要求
（1）设备功能
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的，系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试，在IGBT的检测中，采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。01mA
栅极电压VGE： 0V
6）栅极-发射极阈值电压
VGEth： 1-10V±2%±0。为提供稳定的大电流脉冲，采用了支撑电容补偿及步进充电的方法，解决IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测问题。
测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。1示波器：美国泰克新5系混合信号示波器（MSO），带宽500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道。
半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，都具有独立的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用；01mA
栅极电压Vge： 0V
4）集电极-发射极饱和电压VCESat
VCESat：0。 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。
3.6 VCES
集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES：
0.01～1mA±3%±0.001mA；
1～10mA±2%±0.01mA；
10～50mA±1%±0.1mA；
集电极电压VCES：
0-5000V±1.5%±2V；
*
3.7 ICES
集射极截止电流 0.01～50mA
集电极电压VCES：
50～500V±2%±1V；
500～5000V±1.5%±2V；
集电极电流ICES：
0.001～1mA±3%±0.001mA；
1～10mA±2%±0.01mA；
10～150mA±1%±0.1mA；
*
3.8 VCE(sat)
饱和导通压降 0.001～10V
集电极电流ICE：
0-1600A 集电极电压VCEs：
0.001～10V±0.5%±0.001V
栅极电压Vge：
5～40V±1%±0.01V
集电极电流ICE：
0～100A±1%±1A；
100～1600A±2%±2A；
*
3.9 Iges
栅极漏电流 0.01～10μA
栅极漏电流IGEs：
0.01～10μA±2%±0.005μA
栅极电压Vge：
±1Ｖ～40V±1%±0.1V；半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。
Vce=0V；
* 3.10 VF
正向特性测试 0.1～5V 二极管导通电压Vf：
0.1～5V±1%±0.01V
电流IF：
0～100A±2%±1A；
100～1600A±1.5%±2A；
关断时间测试参数：
1、关断时间toff：5～2000ns±3%±3ns
2、关断延迟时间td(off)：5～2000ns±3%±3ns
3、下降时间tf：5～2000ns±3%±3ns
4、关断能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ
1～50mJ±5%±0.1mJ
50～100mJ±5%±1mJ
100～500mJ±5%±2mJ
5、关断耗散功率Pon：10W～250kW
关断时间测试条件：
1、集电极电压Vce：50～100V±3%±1V
100～500V±3%±5V
500V～1000V±3%±10V
2、集电极电流Ic：50～100A±3%±1A;
100～500A±3%±2A;
500～1000A±3%±5A;
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