测量目的：对模块的电压降参数进行检测, 可判断模块是否处于正常状态。
功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，饱和压降Vcesat会逐渐劣化。因此，定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行跟踪管理，可有效保障机车中间直流环节可靠运行。现代新型IGBT大功率器件的
大功率IGBT测试仪现货供应
测量目的：对模块的电压降参数进行检测, 可判断模块是否处于正常状态。
功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，饱和压降Vcesat会逐渐劣化。因此，定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行跟踪管理，可有效保障机车中间直流环节可靠运行。现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性。
IGBT模块VCE-IC特线（单管），Vcesat随电流变大而增大。
如何检测元件有老化的现象？
半导体元件有许多参数都很重要，有些参数如：放大倍率，触发参数，闩扣，保持参数，崩溃电压等，是提供给工程师在设计电路时的依据，在检测元件是否有老化的现象时，仅须测量导通参数及漏电流二项即可。将量测的数据与其出厂规格相比较，就可判定元件的好坏或退化的百分比。
何谓半导体元件的参数？当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。对元件使用上有何重要性？
中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的，因其必须承受规格上的电压与电流，在某条件下，承受度的数据便称为此元件的参数。若元件的工作条件超过其参数数据，元件可能会立刻烧毁或造成性的损坏。
2.2反向恢复技术条件
测试参数：
1、Irr(反向恢复电流)：50～1000A
50～200A±3%±1A
200～1000A±3%±2A
2、Qrr (反向恢复电荷)：1～1000uC
1～50uC±5%±0.1 uC
50～200uC±5%±1 uC
200～1000uC±5%±2 uC
3、trr(反向恢复时间)：20～2000ns
20～100±5%±1ns
100～500±5%±2ns
500～2000±3%±5ns
4、Erec(反向关断能量损失)：0.5～1000mJ
0.5～1mJ±5%±0.01mJ
1～50mJ±5%±0.1mJ
50～200mJ±5%±1mJ
200～1000mJ±5%±2mJ
测试条件：
1、正向电流IFM：50～1000A
50～200A±3%±1A
200～1000A±3%±2A
2、-di/dt测量范围：200～10000A/us
3、反向关断峰值电压VRRpk：200～1000V±3%±2V
4、dv/dt测量范围：100～10000V/us
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