小型磁控溅射仪的优势
设备主要优势
实用性：设备集成度高，结构紧凑，占地面积小，可以满足客户实验室空间不足的苛刻条件；通过更换设备上下法兰可以实现磁控与蒸发功能的转换，实现一机多用；
方便性：设备需要拆卸的部分均采用即插即用的方式，接线及安装调试简单，既保证了设备使用方便又保证了设备的整洁；
高性价比：设备主要零部件采用进口或国内，以国产设备
磁控溅射镀膜设备公司
小型磁控溅射仪的优势
设备主要优势
实用性：设备集成度高，结构紧凑，占地面积小，可以满足客户实验室空间不足的苛刻条件；通过更换设备上下法兰可以实现磁控与蒸发功能的转换，实现一机多用；
方便性：设备需要拆卸的部分均采用即插即用的方式，接线及安装调试简单，既保证了设备使用方便又保证了设备的整洁；
高性价比：设备主要零部件采用进口或国内，以国产设备的价格拥有进口设备的配置，从而保证了设备的质量及性能；
安全性：独立开发的PLC+触摸屏智能操作系统在传统操作系统的基础上新具备了漏气自检与提示、通讯故障自检、保养维护提示等功能，保证了设备的使用安全性能；
期望大家在选购磁控溅射产品时多一份细心，少一份浮躁，不要错过细节疑问。想要了解更多磁控溅射产品的相关资讯，欢迎拨打图片上的热线电话！！！
磁控溅射的工作原理
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磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于磁控溅射一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。期望大家在选购磁控溅射产品时多一份细心，少一份浮躁，不要错过细节疑问。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。
磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来。
磁控溅射的种类介绍
磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点：利用磁场与电场交互作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而增大电子撞击气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。
靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源镀膜均匀，非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜，非平衡多用于磨损装饰膜。旋转基片台1套，样品台可放置不小于100mm样品1片，具有连续旋转功能，旋转0—30转/分连续可调。磁控阴极按照磁场位形分布不同，大致可分为平衡态磁控阴极和非平衡态磁控阴极。平衡态磁控阴极内外磁钢的磁通量大致相等，两极磁力线闭合于靶面，很好地将电子/等离子体约束在靶面附近，增加了碰撞几率，提高了离化效率，因而在较低的工作气压和电压下就能起辉并维持辉光放电，靶材利用率相对较高。
但由于电子沿磁力线运动主要闭合于靶面，基片区域所受离子轰击较小。非平衡磁控溅射技术，即让磁控阴极外磁极磁通大于内磁极，两极磁力线在靶面不完全闭合，部分磁力线可沿靶的边缘延伸到基片区域，从而部分电子可以沿着磁力线扩展到基片，增加基片磁控溅射区域的等离子体密度和气体电离率。不管平衡还是非平衡，若磁铁静止，其磁场特性决定了一般靶材利用率小于30%。为增大靶材利用率，可采用旋转磁场。另外自主开发的智能操作系统在设备的运行重复性及安全性方面得到更好地保障。但旋转磁场需要旋转机构，同时溅射速率要减小。旋转磁场多用于大型或贵重靶，如半导体膜溅射。对于小型设备和一般工业设备，多用磁场静止靶源。
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小型磁控溅射镀膜系统简介
小型磁控溅射镀膜系统适合于溅射镀膜科研、教学与小批量打样，可、低成本的制备多种微纳米厚度的膜层。
具有一体化、占用空间小、灵活的特点
