对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-O2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四氟化碳的热稳定性更好。化合物的热稳定性主要与化学键的键能及键长有关。零下198 °C时，四氟化碳具有单斜的结构，晶格常数为a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73°
工业四氟化碳价格
对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-O2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四氟化碳的热稳定性更好。化合物的热稳定性主要与化学键的键能及键长有关。零下198 °C时，四氟化碳具有单斜的结构，晶格常数为a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。
按其催化作用增长的次序由小到大地排列则如下：因科镍合金、奥氏体不锈钢、镍、钢、铝、铜、青铜、黄铜、银。以活性炭与氟为原料经氟化反应制备。在装有活性炭的反应炉中，缓缓通入高浓氟气，并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。
四氟化碳贮存注意事项：气瓶不得靠近火源，不得受日光曝晒，与明火距离一般应该不小于10米，气瓶不得撞击。气瓶的瓶子严禁沾染油脂。四氟化碳作为制冷剂是一种无色不可燃气体，能够保障液体运输的安全性。在临床医学中，四氟化碳还是一种高浓度的醉剂。由以上看出，四氟化碳的应用范围广泛，在下游电子产业等带动下，行业发展。温室气体，其造成温室效应的作用是二氧化碳的数千倍。氟代烃的低层大气中比较稳定，而在上层大气中可被能量更大的紫外线分解。
（作者： 来源：）
