美国Futurrex的光刻胶
北京赛米莱德贸易有限公司供应美国Futurrex新型lift-off光刻胶NR9-3000PY，此款负胶的设计适用于比较宽的波长范围和i线（366纳米）曝光工具。当显影后显示出负的侧壁角度，是lift-off工艺中比较简易的光刻胶。和其他胶相比NR9i-3000PY有下面的优势： 1. 比较高的光刻速度，可以定制光刻速度来曝光产量 2.
NR9 3000PY光刻胶公司
美国Futurrex的光刻胶
北京赛米莱德贸易有限公司供应美国Futurrex新型lift-off光刻胶NR9-3000PY，此款负胶的设计适用于比较宽的波长范围和i线（366纳米）曝光工具。当显影后显示出负的侧壁角度，是lift-off工艺中比较简易的光刻胶。和其他胶相比NR9i-3000PY有下面的优势： 1. 比较高的光刻速度，可以定制光刻速度来曝光产量 2. 比较高的分辨率和快的显影时间 3. 根据曝光能量可以比较容易的调整侧壁角度 4. 耐温可以达到100摄氏度 5. 用RR5去胶液可以很容易的去胶 NR9-3000PY的制作和工艺是根据职业和环境的安全而设计。主要的溶剂是，NR9-3000PY的显影在水溶液里完成。属固含量（%）：31-35 主要溶剂： 外观： 浅液体涂敷能：均匀的无条纹涂敷 100摄氏度热板烘烤300秒后膜厚涂敷自旋速度 40秒自旋。同时，传统的光刻胶干法刻蚀去除光刻胶时，光刻胶外面的外壳阻挡了光刻胶内部的热量的散发，光刻胶内部膨胀应力增大，导致层多晶硅倒塌的现象。
光刻胶工艺
普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。随着曝光加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高曝光系统分辨率的性能，Futurrex 的光刻胶正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，从而改善光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。
下游发展趋势
光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%到50%。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%，市场巨大。因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料。2016年半导体用光刻胶及配套材料市场分别达到14.5亿美元和19.1亿美元，分别较2015年同比增长9.0%和8.0%。预计2017和2018年半导体用光刻胶市场将分别达到15.3亿美元和15.7亿美元。对准：指光刻板上与衬底的对版标记应准确对准，这样一套光刻版各版之间的图形才能彼此套准。随着12寸技术节点生产线的兴建和多次曝光工艺的大量应用，193nm及其它光刻胶的需求量将增加
光刻的工序
下面我们来详细介绍一下光刻的工序：
一、清洗硅片（Wafer Clean）
清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性
基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。
自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）、美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF / O3为基础的硅片化学清洗技
