磁控溅射“磁控反应”介绍
磁控反应溅射绝缘体看似容易,而实际操作困难。新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。主要问题是反应不光发生在零件表面,也发生在阳极,真空腔体表面以及靶源表面,从而引起灭火,靶源和工件表面起弧等。德国莱宝发明的孪生靶源技术,很好的解决了这个问题。其原理是一对靶源互相为阴阳极,从而消除阳极表面氧化或氮
磁控溅射机价格
磁控溅射“磁控反应”介绍
磁控反应溅射绝缘体看似容易,而实际操作困难。新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。主要问题是反应不光发生在零件表面,也发生在阳极,真空腔体表面以及靶源表面,从而引起灭火,靶源和工件表面起弧等。德国莱宝发明的孪生靶源技术,很好的解决了这个问题。其原理是一对靶源互相为阴阳极,从而消除阳极表面氧化或氮化。冷却是一切源(磁控,多弧,离子)所必需,因为能量很大一部分转为热量,若无冷却或冷却不足,这种热量将使靶源温度达一千度以上从而溶化整个靶源。
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磁控溅射——溅射技术介绍
直流溅射法:直流溅射法要求靶材能够将从离子轰击过程中得到的正电荷传递给与其紧密接触的阴极,从而该方法只能溅射导体材料,不适于绝缘材料。的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下的载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能预真空锁以及自动晶圆片上/下的载片。因为轰击绝缘靶材时,表面的离子电荷无法中和,这将导致靶面电位升高,外加电压几乎都加在靶上,两极间的离子加速与电离的机会将变小,甚至不能电离,导致不能连续放电甚至放电停止,溅射停止。故对于绝缘靶材或导电性很差的非金属靶材,须用射频溅射法(RF)。
溅射过程中涉及到复杂的散射过程和多种能量传递过程:入射粒子与靶材原子发生弹性碰撞,入射粒子的一部分动能会传给靶材原子;某些靶材原子的动能超过由其周围存在的其它原子所形成的势垒(对于金属是5-10 eV),从而从晶格点阵中被碰撞出来,产生离位原子;这些离位原子进一步和附近的原子依次反复碰撞,产生碰撞级联;当这种碰撞级联到达靶材表面时,如果靠近靶材表面的原子的动能大于表面结合能(对于金属是1-6eV),这些原子就会从靶材表面脱离从而进入真空。不管平衡还是非平衡,若磁铁静止,其磁场特性决定了一般靶材利用率小于30%。
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溅射镀膜
溅射镀膜就是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面,使被轰击出的粒子沉积在基片上的技术。通常,利用低压惰性气体辉光放电来产生入射离子。阴极靶由镀膜材料制成,基片作为阳极,真空室中通入0.1-10Pa的气或其它惰性气体,在阴极(靶)1-3KV直流负高压或13.56MHz的射频电压作用下产生辉光放电。电离出的离子轰击靶表面,使得靶原子溅出并沉积在基片上,形成薄膜。溅射方法很多,主要有二级溅射、三级或四级溅射、磁控溅射、对靶溅射、射频溅射、偏压溅射、非对称交流射频溅射、离子束溅射以及反应溅射等。某些靶材原子的动能超过由其周围存在的其它原子所形成的势垒(对于金属是5-10eV),从而从晶格点阵中被碰撞出来,产生离位原子。
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磁控溅射介绍
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由于被溅射原子是与具有数十电子伏特能量的正离子交换动能后飞溅出来的,因而溅射出来的原子能量高,有利于提高沉积时原子的扩散能力,提高沉积组织的致密程度,使制出的薄膜与基片具有强的附着力。
溅射时,气体被电离之后,气体离子在电场作用下飞向接阴极的靶材,电子则飞向接地的壁腔和基片。这样在低电压和低气压下,产生的离子数目少,靶材溅射效率低;磁控溅射镀膜设备技术含量高,那么就一定要拥有一个非常强大的磁控溅射镀膜设备技术工程队伍,磁控溅射镀膜设备行业资深的,磁控溅射镀膜设备可根据用户的产品工艺及物殊要求设计配置。而在高电压和高气压下,尽管可以产生较多的离子,但飞向基片的电子携带的能量高,容易使基片发热甚至发生二次溅射,影响制膜质量。另外,靶材原子在飞向基片的过程中与气体分子的碰撞几率也大为增加,因而被散射到整个腔体,既会造成靶材浪费,又会在制备多层膜时造成各层的污染。
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