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肖特基二极管是以其发明人华特肖特基博士（Walter Hermann Schottky，1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二极管。
从诞生之初，肖特基二极管就注定了其不平凡的一生，从低频到高频，从高损耗到低损耗，肖特基二极管在其发展上走出了一步一步的不平凡！ASEMI在21世纪延续了这个不平凡，将高频率
肖特基二极管常见型号
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肖特基二极管是以其发明人华特肖特基博士（Walter Hermann Schottky，1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二极管。
从诞生之初，肖特基二极管就注定了其不平凡的一生，从低频到高频，从高损耗到低损耗，肖特基二极管在其发展上走出了一步一步的不平凡！ASEMI在21世纪延续了这个不平凡，将高频率低耗损环保节能的产品引入并发展！
由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管。
SBD的结构及特点使其适合于在低压、DA电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBDTTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。
关于肖特基二极管的应用，ASEMI总结出以下几点：
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)，具有正向压降低（0.4—1.0V）、反向恢复时间很短（0-10纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般150V，多用于低电压场合。
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