编辑：TH
整流方桥MT5010电性参数是50A100V，芯片材质采用GPP芯片。MT5010内部含有5个GPP芯片，芯片尺寸达180MIL，正向电流达50A，正向电压1.05V，浪涌电流是500A，漏电流在500uA的范围内，恢复时间快达500ns。
：ASEMI
封装：D-63
特性：单相
低压降三相整流桥参数封装
编辑：TH
整流方桥MT5010电性参数是50A100V，芯片材质采用GPP芯片。MT5010内部含有5个GPP芯片，芯片尺寸达180MIL，正向电流达50A，正向电压1.05V，浪涌电流是500A，漏电流在500uA的范围内，恢复时间快达500ns。
：ASEMI
封装：D-63
特性：单相整流方桥
电性参数：50A1000V
芯片个数：5
浪涌电流Ifsm：500A
工作温度：-55~+150℃
恢复时间(Trr)：500ns
引线数量：5
MT5010的电性参数：正向平均电流50A；反向峰值电压1000V
MT5016的包装方式：100/盒，500/箱
整流桥被广泛适用于：电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用
三相桥式全控整流电路，共阴极组和共阳极组同时控制，控制角为alpha；。由于三相桥式整流电路是由两组三相半波电路串联而成，其整流电压是三
相半波电路的两倍。显然，当输出电压相同时，三相桥式晶闸管所需的反向电压可比三相半波线路所需的反向电压低一半。为了便于分析，三相全控
桥的6个晶闸管的触发顺序为1-2-3-4-5-6。晶闸管编号如下：晶闸管KP1、KP4接a相，kp3、kp6接B相，kp5、KP2接C相，KP2、KP4、kp6组成共阳极组
。
ASEMI 全新原装DH2F200N6S、DH2F200N4S 大功率快恢复模块
：ASEMI
型号：DH2F200N6S
正向平均电流：200A
反向峰值耐压：600V
漏电流：10uA
芯片材质：GPP
封装：DH2F-2
操作温度：-40℃～+170℃
特点：大功率
散热条件的好坏，直接影响模块的可靠和安全。不同型号模块在其额定电流工作状态下，环境温度为40℃时所需散热器尺寸、风机的规格各不相同，具体请参照使用说明书进行选取。
ASEMI原装 三相整流模块MFC160-16160A 1600V
型号：MFC160-16
正向平均电流：160A
反向峰值耐压：1600V
漏电流：15uA
引线（端子）：3个
封装：D2
操作温度：-55℃～+150℃
采用玻封GPP工艺芯片，密封性好，镭射激光打标防止氧化
（作者： 来源：）
