三、华科智源IGBT测试仪系统特征：
A：测量多种IGBT、MOS管
B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；01mA
栅极电压Vge： 0V
4）集电极-发射极饱和电压VCESat
VCESat：0。
C：脉冲宽度 50uS~300uS
D：Vce测量精度2mV
E：Vce测量范围>10V
F：电脑图形显示界面
G：智能保护被测量器件
H：上位机携带数据库功能
I：MOS IGB
检修用IGBT测试仪现货供应
三、华科智源IGBT测试仪系统特征：
A：测量多种IGBT、MOS管
B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；01mA
栅极电压Vge： 0V
4）集电极-发射极饱和电压VCESat
VCESat：0。
C：脉冲宽度 50uS~300uS
D：Vce测量精度2mV
E：Vce测量范围>10V
F：电脑图形显示界面
G：智能保护被测量器件
H：上位机携带数据库功能
I：MOS IGBT内部二极管压降
J : 一次测试IGBT全部静态参数
K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）
L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；
华科智源IGBT测试仪针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统；自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作），计算机可以记录测试结果，测试结果可转化为文本格式存储，测试方法灵活（可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试），安全稳定（对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁），具有安全保护功能，测试速度方便快捷。安全技术要求：满足GB19517—2009电气设备安全技术规范。
8）高压大功率开关
电流能力 200A
隔离耐压 10kV
响应时间 150ms
脉冲电流 20kA（不小于10ms）
工作方式 气动控制
工作气压 0.4MPa
工作温度 室温～40℃
工作湿度 <70%
9）尖峰抑制电容
用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。
电容容量 200μF
分布电感 小于10nH
脉冲电流 200A
工作湿度 <70%
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