现在行业中通用的测量方法基本是手动进行的，其劣势在于手动测试受人为因素 (用力的大小，接触面积等)影响较大，手动测试无法实现同一被测物目标的多次数值的重现，手动测试时只能达到每次测试出来一个数值，无法做产品的分析。另外一般的电阻测量仪器受温度和湿度的影响较大，无法测量，导致不能得出的数值，从而不能保证广品的。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直达到所要求的纯度（10
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现在行业中通用的测量方法基本是手动进行的，其劣势在于手动测试受人为因素 (用力的大小，接触面积等)影响较大，手动测试无法实现同一被测物目标的多次数值的重现，手动测试时只能达到每次测试出来一个数值，无法做产品的分析。另外一般的电阻测量仪器受温度和湿度的影响较大，无法测量，导致不能得出的数值，从而不能保证广品的。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），这样纯度的锗（相当于13）所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。
由表面层和基层组成的半导电辊；该表面层具有较高的电阻值，由橡胶组合物制成；主要有四种提纯方法在试验室中使用，即真空熔融，真空蒸馏或升华，电迁移和区域熔炼。基层具有较低的电阻值，由导电橡胶组合物组成。该半导电辊的目的在于通过良好地平衡表面层和基层的电阻值而获得良好的静电充电特性。有必要使这两种层的厚度高度准确。为使两种层的厚度高度准确，需要较麻烦的管理，并且生产橡胶辊的成本较高。
在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。超纯金属是相对高纯度的金属，一般指金属纯度达到纯度9以上的金属，物理杂质的概念才是有意义的。
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