IGBT测试装置技术要求
（1）设备功能
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的，系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试，在IGBT的检测中，采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。1）可调充电电压源用来给电容器充电，实现连续可调的直流母线电压，满足动态测试、短路电流的
便携式IGBT测试仪现货供应
IGBT测试装置技术要求
（1）设备功能
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的，系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试，在IGBT的检测中，采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。1）可调充电电压源用来给电容器充电，实现连续可调的直流母线电压，满足动态测试、短路电流的测试需求。为提供稳定的大电流脉冲，采用了支撑电容补偿及步进充电的方法，解决IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测问题。
产品主要有电力半导体器件、组件、模块（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等）的检测及可靠性设备，电气自动化设备，电冶、电化学装置，电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉，晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs3。
IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求
1）阈值电压测试电路
阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路）
满足表格9测试参数要求
低压开关电源要求：Vcc=12V (针对上图电路)
可调电源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V
2反向恢复技术条件
测试参数：
1、Irr(反向恢复电流)：50～1000A
50～200A±3%±1A
200～1000A±3%±2A
2、Qrr(反向恢复电荷)：1～1000uC
1～50uC±5%±0。集电极电流测试电路精度：10～50mA±1%±0.5mA；
50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA；
2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路
集射极截止电压/发射极截止电流测试电路
高压充电电源：10~2kV连续可调
支撑电容：额定电压2kV
集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA
集电极电压VCES：200～1500V±2%±1V
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