含量控制.采用磷酸基化学抛光槽液时,含量应控制在规定的范围内,通常按照化学分析结果调整,特别要掌握添加的规律,并安全操作.有经验的化学抛光操作人员,可以从化学抛光表面光亮度判明含量,通常,的消耗量为化学抛光槽液消耗量的1%~2%（体积分数）.若不及时补加,铝合金型材表面会出现光亮度不足等现象.如果含量太低,可以看到化学抛光后的铝合金型材光亮度不满意或看到细小的白色附着物斑点等缺
两酸抛光配方
含量控制.采用磷酸基化学抛光槽液时,含量应控制在规定的范围内,通常按照化学分析结果调整,特别要掌握添加的规律,并安全操作.有经验的化学抛光操作人员,可以从化学抛光表面光亮度判明含量,通常,的消耗量为化学抛光槽液消耗量的1%~2%（体积分数）.若不及时补加,铝合金型材表面会出现光亮度不足等现象.如果含量太低,可以看到化学抛光后的铝合金型材光亮度不满意或看到细小的白色附着物斑点等缺陷.若含量太高,可能出现浅蓝色至橙色彩虹膜.
金属的化学抛光,常用、磷酸、硫酸、盐酸等酸性溶液抛光铝、铝合金、钥、钥合金，碳钢及不锈钢等。有时还加人明胶或甘油之类。抛光时必须严格控制溶液温度和时间。温室从室温到90℃，时间自数秒到数分钟，要根据材料、溶液成分经实验后才能确定值。半导体材料的化学抛光，如锗和硅等半导体基片在机械研磨平整后，还要终用化学抛光去除表面杂质和变质层。常用和、硫酸混合溶液或和氢氧化铵的水溶液。
（1）在连续性的批量化学抛光作业中，要获得比较稳定的抛光效果，就必须对受热易分解或消耗量大的溶液组分进行及时的补充和调整。何时补加，多长时间补一次，每次补多少，均要由具体情况（如抛光制件的多少，抛光溶液的组成等）酌情控制。直观的依据是抛光表面的光亮度变化情况，即依抛光效果来调整。
（2）化学抛光液的酸值一般应稳定在1.5~2.5之间。
（3）化学抛光作业中，抛光溶液中的铁含量呈累积性的增加。当铁含量过高时，抛光质量及工效均会相应降低。有文献指出，补加一些易损耗组分后，若溶液的抛光效果还不能明显改善时，即可认为该溶液中的铁含量过高。这时就应该弃旧换新了。比较成熟的经验，是抛光溶液中铁的含量不得高于35g/L
这两个概念主要出半导体加工过程中，的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。
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