在光刻胶的生产上，我国主要生产PCB光刻胶，LCD光刻胶和半导体光刻胶生产规模较小， 2015年据统计我国光刻胶产量为9.75万吨，其中中低端PCB光刻胶产值占比为94.4%，半导体和LCD光刻胶分分别占比1.6%和2.7%，严重依赖进口。4,曝光前烘好的存底放在光刻胶衬底放在光刻机上，经与光刻版对准后，进行曝光，接受光照的光刻胶发生化学变化，形成潜影，光源与光刻胶相匹配，也就
光刻胶 FUTURREX价格
在光刻胶的生产上，我国主要生产PCB光刻胶，LCD光刻胶和半导体光刻胶生产规模较小， 2015年据统计我国光刻胶产量为9.75万吨，其中中低端PCB光刻胶产值占比为94.4%，半导体和LCD光刻胶分分别占比1.6%和2.7%，严重依赖进口。4,曝光前烘好的存底放在光刻胶衬底放在光刻机上，经与光刻版对准后，进行曝光，接受光照的光刻胶发生化学变化，形成潜影，光源与光刻胶相匹配，也就是光源波长在光刻胶的敏感波段。
纵观市场，光刻胶化学品生产壁垒高，国产化需求强烈。 化学结构特殊、保密性强、用量少、纯度要求高、生产工艺复杂、要求苛刻，生产、检测、评价设备投资大，技术需要长期积累。
至今光刻胶化学品仍主要被被日本合成橡胶（JSR）、东京应化（TOK）、住友化学、美国杜邦、美国futurrex、德国巴斯夫等化工寡头垄断。
NR9-3000PY
四、对准（Alignment）
光刻对准技术是曝光前的一个重要步骤作为光刻的三大核心技术之一，一般要求对准精度为细线宽尺寸的 1/7---1/10。随着光刻分辨力的提高 ，对准精度要求也越来越高 ，例如针对 45am线宽尺寸 ，对准精度要求在5am 左右。
受光刻分辨力提高的推动 ，对准技术也经历 迅速而多样的发展 。从对准原理上及标记结 构分类 ，对准技术从早期的投影光刻中的几何成像对准方式 ，包括视频图像对准、双目显微镜对准等，一直到后来的波带片对准方式 、干涉强度对准 、激光外差干涉以及莫尔条纹对准方式 。光刻胶的目标厚度的确定主要考虑胶自身的化学特性以及所要图形中线条的及间隙的微细程度。从对准信号上分 ，主要包括标记的显微图像对准 、基于光强信息的对准和基于相位信息对准。
Futurrex
提供化学技术的多样化解决方案
成立于1985年,总部设在美国新泽西州，富兰克林市,高速成长并超过20年连续盈利的跨国公司
公司业务覆盖范围包括北美，亚太以及欧洲
基于多样化的技术
应用领域：微电子、光电子、LED、太阳能光伏、微机电系统、生物芯片、微流体、平面印刷
解决方案：的光刻胶、掺杂涂层、平坦化涂层、旋制氧化硅(spin-onglase)。阻挡层(Barrior Layere)、湿法制程
客户：从财富100强到以风险投资为背景的设备研发及制造公司
使命
目标
提供特殊化学品和全新工艺来增加客户的产能
策略
提供的产品来优化生产制程，以提高设备能效
领的技术提升生产过程中的整体性价比
工艺步骤的减少降低了成本和产生瑕疵的可能
增加客户的产能和生产的效率
工艺减化
非同寻常的显微构造、金属及介电层上的图形转换、光刻、平坦化、掺杂、蚀刻、邦定
在生产过程中，不含有害溶剂
支持所有客户的需要，与客户共创成功
光刻胶
光刻胶由光引发剂、树脂、溶剂等基础组分组成，又被称为光致抗蚀剂，这是一种对光非常敏感的化合物。此外，光刻胶中还会添加光增感剂、光致产酸剂等成分来达到提高光引发效率、优化线路图形精密度的目的。光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占整个芯片工艺的40%~60%，是半导体制造中核心的工艺。在受到紫外光曝光后，它在显影液中的溶解度会发生变化。
分类
根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类。
正胶
曝光前对显影液不可溶，而曝光后变成了可溶的，能得到与掩模板遮光区相同的图形。
优点：分辨率高、对比度好。
缺点：粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。
灵敏度：曝光区域光刻胶完全溶解时所需的能量
负胶egative
Photo Resist）
与正胶反之。
优点： 良好的粘附能力和抗刻蚀能力、感光速度快。
缺点： 显影时发生变形和膨胀，导致其分辨率。
灵敏度：保留曝光区域光刻胶原始厚度的50%所需的能量。
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