如何执行导通参数与漏电流的量测？测试条件中待输入的数字，必须依照元件生产厂所提供的规格来输入，而测量结果，亦必须在其所规定的限额内，否则，便为不良品。大功率I g b t模块测试系统简介我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力：☆可单机独立操作，测试范围达2000V及50A。☆外接大电流扩展装置，检测范围可扩展1600A。IGBT半导体器件测试系统的主要应用领域概括如下：半导体
轨道交通用IGBT测试仪加工
如何执行导通参数与漏电流的量测？
测试条件中待输入的数字，必须依照元件生产厂所提供的规格来输入，而测量结果，亦必须在其所规定的限额内，否则，便为不良品。
大功率I g b t模块测试系统简介
我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力：
☆可单机独立操作，测试范围达2000V及50A。
☆外接大电流扩展装置，检测范围可扩展1600A。
IGBT半导体器件测试系统的主要应用领域概括如下：
半导体元器件检测中心——应用本公司测试系统可扩大检测中心的检测范围、提高检测效率，提升检测水平，增加经济效益；
半导体元器件生产厂 —— 应用本公司测试系统可对半导体元器件生产线的成品进行全参数的测试、筛选、分析，以确保出厂产品的合格率；
电子电力产品生产、检修厂——应用本公司测试系统可对所应用到的半导体元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；
航天、领域 ——— 应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；
主要参数 测试范围 精度要求 测试条件
Vce
集射极电压 150～3300V 150～500V±3%±1V；
500～1000V±2%±2V；
1000～3300V±1%±5V； 150～3300V
Ic
集射极电流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A
Vge
栅极电压 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；
0～+30V±1%±0.1V -30V～30V
Qg
栅极电荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC
td(on)、td(off)
开通/关断延迟 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns
tr、tf
上升/下降时间 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；
Eon、Eoff
开通/关断能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；
50～200mJ±2%±1mJ；
200～1000mJ±2%±2mJ；
1000～5000mJ±1%±5mJ；
静态及动态测试系统
技术规范
供货范围一览表
序号 名称 型号 单位 数量
1 半导体静态及动态测试系统 HUSTEC-2010 套 1
1范围
本技术规范提出的是限度的要求，并未对所有技术细节作出规定，也未充分引述有关标准和规范的条文，供货方应提供符合工业标准和本技术规范的产品。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。01mA
栅极电压VGE： 0V
6）栅极-发射极阈值电压
VGEth： 1-10V±2%±0。
（作者： 来源：）
