LCD市场助力
LCD面板总出货面积增长，LCD光刻胶需求增加。据WitsView数据，虽然近三年国际LCD厂商面板出货量有所下降，但是由于大屏显示的市场扩增，LCD整体出货面积变大，2016年出货总面积达到1.7亿平方米，同比增长4.6%。随着LCD出货面积的持续增长，产业信息网预测，未来几年LCD光刻胶的需求量增长速度为4%~6%。企业持续发展也需投入较大
NR73G 6000P光刻胶厂家
LCD市场助力
LCD面板总出货面积增长，LCD光刻胶需求增加。据WitsView数据，虽然近三年国际LCD厂商面板出货量有所下降，但是由于大屏显示的市场扩增，LCD整体出货面积变大，2016年出货总面积达到1.7亿平方米，同比增长4.6%。随着LCD出货面积的持续增长，产业信息网预测，未来几年LCD光刻胶的需求量增长速度为4%~6%。企业持续发展也需投入较大的资金，光刻胶行业在资金上存在较高的壁垒，国外光刻胶厂商相对于国内厂商，其公司规模更大，具有资金和技术优势。随着国内厂商占据LCD市场比重越来越大，国内LCD光刻胶需求也会持续增长。
光刻胶介绍
光刻胶自1959年被发明以来一直是半导体核心材料，随后被改进运用到PCB板的制造，并于20世纪90年代运用到平板显示的加工制造。终应用领域包括消费电子、家用电器、汽车通讯等。
光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占整个芯片工艺的40%~60%，是半导体制造中核心的工艺。
以半导体光刻胶为例，在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过曝光(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。
光刻技术随着IC集成度的提升而不断发展。为了满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，半导体用光刻胶通过不断缩短曝光波长以极限分辨率，世界芯片工艺水平目前已跨入微纳米级别，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及达到EUV(<13.5nm)线水平。AFuturrex,NR7serious(负光阻)Orpr1serious(正光阻)，再经过HMCTSsilyiationprocess,可以达到耐高温200度，PSPI透明polyimide,可耐高温250度以上。
目前，半导体市场上主要使用的光刻胶包括 g 线、i 线、KrF、ArF四类光刻胶，其中，g线和i线光刻胶是市场上使用量较大的。KrF和ArF光刻胶核心技术基本被日本和美国企业所垄断。
光刻胶去除
半导体器件制造技术中，通常利用光刻工艺将掩膜板上的掩膜图形转移到半导体结构表面的光刻胶层中。通常光刻的基本工艺包括涂胶、曝光和显影等步骤。
在现有技术中，去除光刻胶层的方法是利用等离子体干法去胶。将带有光刻胶层的半导体结构置于去胶机内，在射频电压的能量的作用下，灰化气体被解离为等离子体。所述等离子体和光刻胶发生反应，从而将光刻胶层去除。
而在一些半导体器件设计时，考虑到器件性能要求，需要对特定区域进行离子注入，使其满足各种器件不同功能的要求。一部分闪存产品前段器件形成时，需要利用前面存储单元cell区域的层多晶硅与光刻胶共同定义掺杂的区域，由于光刻胶是作为高浓度金属掺杂时的阻挡层，在掺杂的过程中，光刻胶的外层吸附了一定浓度的金属离子，这使得光刻胶外面形成一层坚硬的外壳。而在一些半导体器件设计时，考虑到器件性能要求，需要对特定区域进行离子注入，使其满足各种器件不同功能的要求。
这层坚硬的外壳可以采取两种现有方法去除:方法一，采用湿法刻蚀，但这种工艺容易产生光刻胶残留；方法二，先通过干法刻蚀去除硬光刻胶外壳，再采用传统的干法刻蚀去光刻胶的方法去除剩余的光刻胶的方法，但是这种方式增加了一步工艺流程，浪费能源，而且降低了生产效率；随着LCD出货面积的持续增长，产业信息网预测，未来几年LCD光刻胶的需求量增长速度为4%~6%。同时，传统的光刻胶干法刻蚀去除光刻胶时，光刻胶外面的外壳阻挡了光刻胶内部的热量的散发，光刻胶内部膨胀应力增大，导致层多晶硅倒塌的现象。
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