同方迪一分析去耦瓷片电容的蓄能作用
瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。去耦瓷片电容主要是去除高频RF信号的干扰，干扰的进入方式是通过电磁辐射，实际上芯片附近的电容还有蓄能的作用。
从微观来看，高频器件在工作的时候，其电流是不连续的，而且频率很高，而器件 VCC到总电源有一段距离，即便距离不长，在频率很
超高压瓷片电容25KV
同方迪一分析去耦瓷片电容的蓄能作用
瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。去耦瓷片电容主要是去除高频RF信号的干扰，干扰的进入方式是通过电磁辐射，实际上芯片附近的电容还有蓄能的作用。
从微观来看，高频器件在工作的时候，其电流是不连续的，而且频率很高，而器件 VCC到总电源有一段距离，即便距离不长，在频率很高的情况下，因为阻抗Z＝i*wL+R，线路的电感影响也会非常大，会导致器件在需要电流的时候，不能被及时供给。而去耦瓷片电容可以弥补此不足。这也是为什么很多电路板在高频器件VCC引脚上通常并联一个去耦电容。
有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件， 以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地
同方迪一高压陶瓷电容器制作的关键五点
（1）原料要精选
影响高压陶瓷电容器质量的因素，除瓷料组成外，优化工艺制造、严格工艺条件是非常重要的。因此，对原料既要考虑成本又要注意纯度，选择工业纯原料时，必须注意原料的适用性。
（2）熔块的制备
熔块的制备质量对瓷料的球磨细度和烧成有很大的影响，如熔块合成温度偏低，则合成不充分。对后续工艺不利。如合成料中残存Ca2+，会阻碍轧膜工艺的进行：如合成温度偏高，使熔块过硬，会影响球磨效率：研磨介质的杂质引入，会降低粉料活性，导致瓷件烧成温度提高。
（3）成型工艺
成型时要防止厚度方向压力不均，坯体闭口气孔过多，若有较大气孔或层裂产生，会影响瓷体的抗电强度。
（4）烧成工艺
应严格控制烧成制度，采取性能优良的控温设备及导热性良好的窑具。
（5）包封
包封料的选择、包封工艺的控制以及瓷件表面的清洁处理等对电容器的特性影响很大。冈此，必须选择抗潮性好，与瓷体表面密切结合的、抗电强度高的包封料。目前，大多选择环氧树脂，少数产品也有选用酚醛脂进行包封的。还有采取先绝缘漆涂覆，再用酚醛树脂包封方法的，这对降低成本有一定意义。大规模生产线上多采用粉末包封技术。
超高压瓷片电容器热设计介绍
超高压瓷片电容器热设计涉及的问题比较复杂,除了电容器内的热源较多(电场作用下，产生热的不只是工作介质，还有极板、引线、辅助介质
