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了解了肖特基二极管的基本原理，那你知道肖特基势垒二极管的内部结构是怎样的吗？接下来就由ASEMI技术工程师为您解析这一问题。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用shen作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通
低压降肖特基二极管
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了解了肖特基二极管的基本原理，那你知道肖特基势垒二极管的内部结构是怎样的吗？接下来就由ASEMI技术工程师为您解析这一问题。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用shen作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高倍。
在外加电压为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡。在加正向偏压(即金属加正电压，半导体加负电压)时，自建场削弱，半导体一侧势垒降低，于是形成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度增加，形成由半导体到金属的较小反向电流。因此，SBD与PN结二极管一样，是一种具有单向导电性的非线性器件。
ASEMI实用案例，肖特基二极管的一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面，通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。
3、常用的肖特基二极管
常用的有引线式肖特基二极管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200 等型号。也就是常说的插件封装。
常用表面贴封装肖特基二极管。贴片肖特基二极管为何命名为"SS"
SCHOTTKY:取首字母"S",
SMD:Surface Mounted Devices 的缩写，意为：表面贴装器件，取首字母"S",
上面两个词组各取首字母、即为 SS,
电流的肖特基是BAT42（0.2A）；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；
电流的肖特基是440A,如：440CMQ030、444CNQ045;超过440A 的必定是模块。
肖特基的电压是 200V,也就是说，肖特基的极限电压是200V.超过200V 电压的也必定是模块。
电流越大，电压越低。与可控硅元件不一样。电流与电压成反比（模块除外）。
10A、20A、30A 规格的有做到200V 电压。除此外，都没有200V 电压规格。
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