任何金属都不能达到纯。“超纯”具有相对的含义，是指技术上达到的标准。
由于技术的发展，也常使 “超纯”的标准升级。“超纯”的相对名词是指“杂质”，广义的杂质是指化学杂质（元素）及“物理杂质”（晶体缺陷），后者是指位错及空位等，而化学杂质是指基体以外的原子以代位或填隙等形式掺入。
但只当金属纯度达到很高的标准时（如纯度9以上的金属），物理杂质的概念才是有
贵金属复合材料厂
任何金属都不能达到纯。“超纯”具有相对的含义，是指技术上达到的标准。
由于技术的发展，也常使 “超纯”的标准升级。“超纯”的相对名词是指“杂质”，广义的杂质是指化学杂质（元素）及“物理杂质”（晶体缺陷），后者是指位错及空位等，而化学杂质是指基体以外的原子以代位或填隙等形式掺入。
但只当金属纯度达到很高的标准时（如纯度9以上的金属），物理杂质的概念才是有意义的，因此目前工业生产的金属仍是以化学杂质的含量作为标准，即以金属中杂质总含量为百万分之几表示。
的贵金属工业由于较长时期处于计划经济体制，因此发展比较缓慢，特别是铂族金属起步更是比较晚，工艺技术比较落后，国内资源更是匮乏，直到改革开放以后，以上海黄金的开业为标志，在这三十年里，才得到了迅速的发展，出现了现货、纸黄金、纸白银等等的交易模式，为投资者开打了通往财富的大门，更多的开辟了就业渠道，同时铂族金属的生产加工企业和流通领域的企业也似雨后春笋，蓬勃发展，使成为很大的的铂族金属进口和消费国。各种生产工艺及其特点简介如下：热等静压法：ITO靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体，在800℃～1400℃及1000kgf/cm2～2000kgf/cm2的压力下等方加压烧结。
各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。因此，含有氯原子的橡胶组分容易粘附于色粉和用于色粉的添加剂上。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。
在被溅射的靶极（阴极）与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体（通常为Ar气），磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。
热压法：ITO靶材的热压制作过程是在石墨或氧化铝制的模具内充填入适当粉末以后，以 100kgf/cm 2～1000kgf/cm 2的压力单轴向加压，同时以1000℃～1600℃进行烧结。还原所制得的稀土金属产品含稀土95%～99%，主要用作钢铁、有色金属及其合金的添加剂，以及用作生产稀土永磁材料、贮氢材料等功能材料的原料。热压工艺制作过程所需的成型压力较小，烧结温度较低，烧结时间较短。但热压法生产的ITO靶材由于缺氧率高，氧含量分布不均匀，从而影响了生产ITO薄膜的均匀性，且不能生产大尺寸的靶。
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