芯片光刻的流程详解（一） 在集成电路的制造过程中，有一个重要的环节——光刻，正因为有了它，我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前，1822年法国人Nicephore niepce在各种材料光照实验以后，开始试图复一种刻蚀在油纸上的印痕（图案)，他将油纸放在一块玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时的日晒，透光部分的沥青明显变硬，而不透光部分沥青依然软并可被松香和植物油的混合液洗掉。五、曝光在这一步中，将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射。通过用强酸刻蚀玻璃板，Niepce在1827年制作了一个d’Amboise主教的雕板相的产品。 Niepce的发明100多年后，即第二次大战期间才应用于制作印刷电路板，即在塑料板上制作铜线路。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶体管，当时分辨率5um，如今除可见光光刻之外，更出现了X-ray和荷电粒子刻划等更高分辨率方法。1Futurre光刻胶黏附性好，无需使用增粘剂（HMDS）1。 NR77-20000P 正胶PR1-2000A1技术资料 正胶PR1-2000A1是为曝光波长为365 或者436纳米，可用于晶圆步进器、扫描投影对准器、近程打印机和接触式打印机等工具。PR1-2000A1可以满足对附着能力较高的要求，在使用PR1-2000A1时一般不需要增粘剂，如HMDS。 相对于其他的光刻胶，PR1-2000A1有如下的一些额外的优势： PEB，不需要后烘的步骤； 较高的分别率； 显影； 较强的线宽控制； 蚀刻后去胶效果好； 在室温下有效期长达2年。 光刻胶 光刻胶组分及功能 光引发剂 光引发剂吸收光能（辐射能）后经激发生成活性中间体，并进一步引发聚合反应或其他化学反应，是光刻胶的关键组分，对光刻胶的感光度、分辨率等起决定性作用。 树脂 光刻胶的基本骨架，是其中占比较大的组分，主要决定曝光后光刻胶的基本性能，包括硬度、柔韧性、附着力、曝光前后对溶剂溶解度的变化程度、光学性能、耐老化性、耐蚀刻性、热稳定性等。 溶剂 溶解各组分，是后续聚合反应的介质，另外可调节成膜。 单体 含有可聚合官能团的小分子，也称之为活性稀释剂，一般参加光固化反应，可降低光固化体系粘度并调节光固化材料的各种性能。 （作者： 来源：）
